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龍圖騰網獲悉上海芯導電子科技股份有限公司申請的專利SiC Trench MOSFET器件的制造方法、器件、設備以及制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115910793B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211464292.5，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權SiC Trench MOSFET器件的制造方法、器件、設備以及制作方法是由李艷旭;歐新華;袁瓊;陳敏;符志崗;孫春明設計研發完成，并于2022-11-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本SiC Trench MOSFET器件的制造方法、器件、設備以及制作方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種SiCTrenchMOSFET器件的制造方法，包括：提供一襯底；在襯底上依次形成緩沖層、第一外延層以及第一柵氧層；其中，第一外延層包括一凹槽；第一柵氧層形成于凹槽中；形成第二外延層、體區離子注入層、源區離子注入層、p型離子注入層、p+型離子注入層、第二柵氧層、柵極溝槽、柵極、層間介質層、接觸孔以及金屬層；其中，形成的第一柵氧層的厚度為200?500nm。本申請提供的技術方案，通過分步外延的方式，解決了形成的第一柵氧層的厚度無法滿足器件性能要求的技術問題，進而解決了因底部柵氧厚度沒有達到要求而導致的器件擊穿電壓較小的問題，從而實現了對SiCTrenchMOSFET器件較為薄弱的溝槽底部得以有效保護的技術效果。

本發明授權SiC Trench MOSFET器件的制造方法、器件、設備以及制作方法在權利要求書中公布了：1.一種SiCTrenchMOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一襯底； 在所述襯底上依次形成緩沖層、第一外延層以及第一柵氧層；其中，所述第一外延層包括一凹槽；所述第一柵氧層形成于所述凹槽中； 形成第二外延層、體區離子注入層、源區離子注入層、p型離子注入層、p+型離子注入層、第二柵氧層、柵極溝槽、柵極、層間介質層、接觸孔以及金屬層；其中，所述第二外延層形成于所述第一外延層上；所述體區離子注入層和所述源區離子注入層依次形成于所述第二外延層的表層；所述柵極溝槽形成于所述第一柵氧層的頂端，且貫穿所述第二外延層、所述體區離子注入層以及所述源區離子注入層；所述第二柵氧層形成于所述柵極溝槽的側壁和所述第一柵氧層的表面；所述柵極形成于所述柵極溝槽中；所述p型離子注入層形成于所述第一柵氧層兩側的部分所述第二外延層與部分所述體區離子注入層中；所述p+型離子注入層形成于所述p型離子注入層的頂端且貫穿所述源區離子注入層；所述層間介質層形成于所述柵極頂端且橫跨所述柵極；所述金屬層形成于所述接觸孔中且包圍所述層間介質層； 其中，形成的所述第一柵氧層的厚度為200-500nm； 形成所述接觸孔之后，還包括：形成粘結層；所述粘結層包圍所述層間介質層且覆蓋所述接觸孔的底部；所述金屬層形成于所述粘結層上。

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