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龍圖騰網獲悉北京國家新能源汽車技術創新中心有限公司;浙江大學杭州國際科創中心申請的專利一種全銅互連的封裝集成裝置及制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119208294B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411309305.0，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權一種全銅互連的封裝集成裝置及制造方法是由劉朝輝;閆海東;張亞昆;吳新科;師帥;盛況設計研發完成，并于2024-09-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種全銅互連的封裝集成裝置及制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種全銅互連的封裝集成裝置及制造方法，包括：基板，包括依次接觸的上銅層、陶瓷層、下銅層，上銅層包括功率回路區域、控制回路區域、電極組裝區域，各個部分之間電絕緣；上橋功率MOS管，漏極面與上橋功率回路區域外表面貼合并與之電連接；下橋功率MOS管，漏極面與下橋功率回路區域外表面貼合并與之電連接，且通過第一銅夾與上橋功率MOS管的源極面電連接；散熱器，設置于下銅層的外表面上；上橋功率MOS管和下橋功率MOS管的漏極面、源極面位于相對面。本發明采用銅夾互連降低了雜散電感，有利于散熱和均溫；MOS管的采用雙面燒結銅層，極大降低電遷移；基板與散熱器采用了大面積銅燒結連接，提高了可靠性，簡化了工藝。

本發明授權一種全銅互連的封裝集成裝置及制造方法在權利要求書中公布了：1.一種全銅互連的封裝集成裝置，其特征在于，包括： 基板，包括依次接觸的上銅層、陶瓷層、下銅層，所述上銅層包括功率回路區域、控制回路區域、電極組裝區域，各個部分之間電絕緣，所述功率回路區域包括上橋功率回路區域、下橋功率回路區域，所述控制回路區域包括上橋控制回路區域、下橋控制回路區域，每個控制回路區域包括柵極電阻組裝區域與開爾文源極鍵合區域； 上橋功率MOS管，漏極面與所述上橋功率回路區域的外表面通過燒結銅膏實現機械連接與電連接，源極面與第一銅夾通過燒結銅膏實現機械連接與電連接； 下橋功率MOS管，漏極面與所述下橋功率回路區域的外表面通過燒結銅膏實現機械連接與電連接，且通過第一銅夾與所述上橋功率MOS管的源極面實現電連接，源極面與第二銅夾通過燒結銅膏實現機械連接與電連接； 散熱器，設置于所述下銅層的外表面上； 所述上橋功率MOS管和下橋功率MOS管的漏極面、源極面位于相對面。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京國家新能源汽車技術創新中心有限公司;浙江大學杭州國際科創中心，其通訊地址為：100176 北京市大興區北京經濟技術開發區泰河三街九號院二區1號樓10層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。