清華大學(xué);無錫東微量子科技有限公司耿霄獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉清華大學(xué);無錫東微量子科技有限公司申請的專利一種超導(dǎo)量子芯片封裝體獲國家實用新型專利權(quán),本實用新型專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN223379556U 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的實用新型授權(quán)公告中獲悉:該實用新型的專利申請?zhí)?專利號為:202422719474.3,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10N60/80;該實用新型一種超導(dǎo)量子芯片封裝體是由耿霄;程明俊;何楷泳;戴根婷;楊亮亮;陳國動;姜臨盼;常金琳;孟范忠;陳宏江;陳煒設(shè)計研發(fā)完成,并于2024-11-07向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種超導(dǎo)量子芯片封裝體在說明書摘要公布了:本申請公開了一種超導(dǎo)量子芯片封裝體,采用超導(dǎo)材料制造的蓋子、采用超導(dǎo)材料制造的充氣擋板、射頻連接器插座、印制電路板、采用超導(dǎo)材料制造的側(cè)屏蔽板、采用高熱導(dǎo)率材料和鍍層組合制造的底板、采用高熱導(dǎo)率材料和鍍層組合制造的底盤、氣門芯、氣門芯蓋、引線、上層密封圈、下層密封圈、采用超導(dǎo)材料制造的底部屏蔽板、上層焊縫、下層焊縫、上層銦絲圈、下層銦絲圈。通過本申請實施例提供的超導(dǎo)量子芯片封裝體,確保了超導(dǎo)量子芯片在測試環(huán)境中保持低溫穩(wěn)定、高效的電磁屏蔽,以及對外界環(huán)境的良好隔離。
本實用新型一種超導(dǎo)量子芯片封裝體在權(quán)利要求書中公布了:1.一種超導(dǎo)量子芯片封裝體,其特征在于,包括:采用超導(dǎo)材料制造的蓋子1、采用超導(dǎo)材料制造的充氣擋板2、射頻連接器插座3、印制電路板4、采用超導(dǎo)材料制造的側(cè)屏蔽板5、采用高熱導(dǎo)率材料和鍍層組合制造的底板6、采用高熱導(dǎo)率材料和鍍層組合制造的底盤7、氣門芯8、氣門芯蓋9、引線11、上層密封圈12、下層密封圈13、采用超導(dǎo)材料制造的底部屏蔽板14、上層焊縫15、下層焊縫16、上層銦絲圈17、下層銦絲圈18;其中, 罩在超導(dǎo)量子芯片10上方的蓋子1的內(nèi)側(cè)設(shè)有一通氣孔,用于將蓋子1外側(cè)的螺紋孔和蓋子1內(nèi)部導(dǎo)通; 與蓋子1連接的充氣擋板2位于超導(dǎo)量子芯片10的正上方并垂直遮擋蓋子1的通氣孔; 底盤7通過低溫導(dǎo)熱膠粘貼于超導(dǎo)量子芯片10下方; 與印制電路板4電連接的射頻連接器插座3,用于插入射頻線纜; 印制電路板4采用低溫導(dǎo)熱膠與底盤7粘接,并在上層焊縫15和下層焊縫16處分別與上層密封圈12和下層密封圈13焊接;上層密封圈12和下層密封圈13分別設(shè)置在印制電路板4的上方和下方,分別通過塑性變形的上層銦絲圈17和下層銦絲圈18提供密封; 引線11通過超聲鍵合連接在印制電路板4和超導(dǎo)量子芯片10焊盤處,以實現(xiàn)印制電路板4與超導(dǎo)量子芯片10的電連接; 側(cè)屏蔽板5,安裝在射頻連接器插座3的每個側(cè)面,側(cè)屏蔽板5與底盤7連接且部分插入底盤7內(nèi)部; 底部屏蔽板14通過低溫導(dǎo)熱膠貼于底盤7下方; 底板6通過低溫導(dǎo)熱膠緊貼于底部屏蔽板14下方; 氣門芯8通過蓋子1外側(cè)的螺紋孔與蓋子1連接,通過氣門芯8向超導(dǎo)量子芯片封裝體內(nèi)充氦氣,或者抽真空;氣門芯蓋9通過螺紋與氣門芯8連接。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人清華大學(xué);無錫東微量子科技有限公司,其通訊地址為:100084 北京市海淀區(qū)清華園;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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