深圳左文科技有限責任公司張青獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳左文科技有限責任公司申請的專利一種樣品生長更均勻的CVD襯底組件獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223373300U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202422743347.7，技術領域涉及：C30B25/00；該實用新型一種樣品生長更均勻的CVD襯底組件是由張青設計研發完成，并于2024-11-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種樣品生長更均勻的CVD襯底組件在說明書摘要公布了：本實用新型公開了一種樣品生長更均勻的CVD襯底組件，屬于CVD法人工合成金剛石領域。包括底座、基臺，所述底座上開設有定位槽，所述基臺設置于所述定位槽內，所述定位槽的底壁開設有隔熱槽，所述隔熱槽的深度由底座的中部到邊緣逐漸變大。定位槽能夠對放置樣品的基臺進行定位，防止樣品移位，隔熱槽能夠降低邊緣的散熱效果，緩沖等離子場的分布不均所帶來的整體溫度不均的情況，使得膜層整體溫度分布更均勻，提升膜的質量與均勻性；同時，底座與基臺采用分體式的設計，還能夠方便基臺的更換，方便用戶根據不同的樣品選擇不同的生長基臺，如：生長單晶體時，選擇鉬臺承載籽晶，生長多晶體時，選擇Si片上沉積金剛石多晶膜。
本實用新型一種樣品生長更均勻的CVD襯底組件在權利要求書中公布了：1.一種樣品生長更均勻的CVD襯底組件，其特征在于，包括底座以及用于承載或生長樣品的基臺，所述底座上開設有定位槽，所述基臺設置于所述定位槽內，所述定位槽的底壁開設有隔熱槽，所述隔熱槽的深度由底座的中部到邊緣逐漸變大。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳左文科技有限責任公司，其通訊地址為：518000 廣東省深圳市龍崗區寶龍街道寶龍社區寶龍三路4號歐帝光學有限公司D棟廠房102；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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