深圳新聲半導體有限公司胡威威獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳新聲半導體有限公司申請的專利一種諧振器的制造方法及諧振器獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119834749B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510323814.7,技術領域涉及:H03H3/02;該發明授權一種諧振器的制造方法及諧振器是由胡威威;鄒潔;馮端設計研發完成,并于2025-03-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種諧振器的制造方法及諧振器在說明書摘要公布了:本發明公開一種諧振器的制造方法及諧振器,包括:依次層疊制作第一電極層、壓電層以及第二電極層;制作貫通第二電極層的第一孔并得到多個第二電極,壓電層的部分表面于第一孔露出;壓電層露出的表面上制作通槽并得到多個壓電體,通槽位于兩個第二電極之間;制作包括多個凸起部的犧牲層,相鄰兩個凸起部形成凹槽,通槽于凹槽露出;制作截止邊界層,以覆蓋凸起部的一側、凹槽壁面、通槽壁面、部分第二電極、部分壓電體和部分第一電極層;制作貫通第一電極層的第二孔并得到多個第一電極,壓電層部分表面于第二孔露出,部分截止邊界層從第二孔露出;去除第二電極對應的凸起部形成空腔。上述方法能夠降低截止邊界層和壓電層之間的應力失配。
本發明授權一種諧振器的制造方法及諧振器在權利要求書中公布了:1.一種諧振器的制造方法,其特征在于,所述方法包括: 依次層疊制作第一電極層、壓電層以及第二電極層; 在所述第二電極層上制作第一孔,所述第一孔貫通所述第二電極層,以使得所述壓電層的部分表面于所述第一孔中露出,且所述第一孔將所述第二電極層分割為多個第二電極; 在所述壓電層露出的部分表面上制作通槽,所述通槽貫通所述壓電層,且將所述壓電層分割為多個壓電體,且,所述第一電極層的部分表面于所述通槽中露出,所述通槽位于相鄰兩個第二電極之間; 制作截止邊界層,所述截止邊界層覆蓋凸起部遠離所述壓電層的一側、凹槽的壁面、所述通槽的壁面,以及覆蓋于所述凹槽處露出的第二電極和壓電體和于所述通槽處露出的第一電極層; 在所述第一電極層上制作第二孔,所述第二孔貫通所述第一電極層,以使得所述壓電層的部分表面于所述第二孔露出,且所述第二孔將所述第一電極層分割為多個第一電極; 針對每個所述第二電極去除至少一個與所述第二電極連接的所述凸起部,以使得每個所述第二電極背離所述壓電層的一側與截止邊界層之間均形成至少一個空腔。
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