上海大學;松山湖材料實驗室王剛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海大學;松山湖材料實驗室申請的專利一種具有抗輻照及低氫滯留潛力的鈦基高熵非晶/鎢多層薄膜及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120291038B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510477155.2，技術領域涉及：C23C14/35；該發明授權一種具有抗輻照及低氫滯留潛力的鈦基高熵非晶/鎢多層薄膜及其制備方法和應用是由王剛;劉炳堯;孫康;賈延東;張博設計研發完成，并于2025-04-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種具有抗輻照及低氫滯留潛力的鈦基高熵非晶/鎢多層薄膜及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種具有抗輻照及低氫滯留潛力的鈦基高熵非晶鎢多層薄膜及其制備方法和應用，屬于核能材料技術領域。所述鈦基高熵非晶鎢多層薄膜由下至上依次為第一TiVZrNbTaMoB合金層、W層和第二TiVZrNbTaMoB合金層，其中，所述第一TiVZrNbTaMoB合金層和所述第二TiVZrNbTaMoB合金層中TiVZrNbTaMoB合金的原子百分比為：Ti：45?50％，V：20?30％，Zr：8?15％，Nb：10?20％，Ta：0.5?3％，Mo：0.3?1％，B：0.1?0.3％。其制備工藝主要采用磁控濺射法。得到的多層薄膜具有抗輻照及低氫滯留潛力。
本發明授權一種具有抗輻照及低氫滯留潛力的鈦基高熵非晶/鎢多層薄膜及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種具有抗輻照及低氫滯留潛力的鈦基高熵非晶鎢多層薄膜，其特征在于，其由下至上依次為第一TiVZrNbTaMoB合金層、W層和第二TiVZrNbTaMoB合金層，其中，所述第一TiVZrNbTaMoB合金層和所述第二TiVZrNbTaMoB合金層中TiVZrNbTaMoB合金的原子百分比為：Ti：45-50％，V：20-30％，Zr：8-15％，Nb：10-20％，Ta：0.5-3％，Mo：0.3-1％，B：0.1-0.3％。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海大學;松山湖材料實驗室，其通訊地址為：200444 上海市寶山區上大路99號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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