深圳新聲半導體有限公司王友良獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳新聲半導體有限公司申請的專利一種體聲波濾波器的制作方法及體聲波濾波器獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120016987B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510508230.7,技術領域涉及:H03H3/02;該發明授權一種體聲波濾波器的制作方法及體聲波濾波器是由王友良;鄒潔;馮端設計研發完成,并于2025-04-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種體聲波濾波器的制作方法及體聲波濾波器在說明書摘要公布了:本申請公開了一種體聲波濾波器的制作方法及體聲波濾波器,包括:制作第一襯底;以及在第一襯底上形成諧振結構,其中諧振結構包括工作區域以及圍繞工作區域的非工作區域,并且其中,在非工作區域中諧振結構的壓電層的至少一個表面與相鄰膜層之間形成凹凸結構。從而達到了能夠保證體聲波濾波器的壽命,并增加體聲波濾波器的可靠性的技術效果。
本發明授權一種體聲波濾波器的制作方法及體聲波濾波器在權利要求書中公布了:1.一種體聲波濾波器的制作方法,其特征在于,包括: 制作第一襯底(110); 在所述第一襯底(110)上沉積第一電極(120); 在所述第一電極(120)上沉積壓電層(130),并形成諧振結構,其中所述諧振結構包括工作區域以及圍繞所述工作區域的非工作區域,并且其中,在所述非工作區域中所述諧振結構的壓電層(130)的至少一個表面與相鄰膜層之間形成凹凸結構,其中在所述第一襯底(110)上形成所述諧振結構的過程,還包括: 在所述壓電層(130)上沉積第二電極(140); 在所述壓電層(130)和所述第二電極(140)上形成圍欄層(160),其中 所述圍欄層(160)在所述非工作區域與所述壓電層(130)鄰接的表面形成有與所述壓電層(130)的第三凹凸結構(132)對應的第四凹凸結構(161)。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人深圳新聲半導體有限公司,其通訊地址為:518049 廣東省深圳市福田區梅林街道梅都社區中康路136號深圳新一代產業園3棟801;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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