通威太陽能(成都)有限公司孫淳達獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉通威太陽能(成都)有限公司申請的專利太陽電池及其制備方法、光伏組件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120112010B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510562408.6，技術領域涉及：H10F77/30；該發明授權太陽電池及其制備方法、光伏組件是由孫淳達設計研發完成，并于2025-04-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本太陽電池及其制備方法、光伏組件在說明書摘要公布了：本發明涉及太陽電池技術領域，公開一種太陽電池及其制備方法、光伏組件，包括：硅基底，硅基底具有相背設置的受光面和背光面，硅基底的受光面上依次設置有第一復合鈍化層、第一摻雜層、第一透明導電層、以及第一電極；沿硅基底至第一透明導電層的方向上，第一復合鈍化層包括：第一本征硅層、第一鈍化層、第二鈍化層以及第三鈍化層；第二鈍化層和第三鈍化層被配置為通過氫氣和硅烷制備得到，用于制備第二鈍化層的氫氣和硅烷的流量比為A1，用于制備第三鈍化層的氫氣和硅烷的流量比為A2，A1、A2滿足：5:1≤A1≤10:1，20:1≤A2≤50:1。該太陽電池既能提高載流子的傳輸能力，又能提高太陽電池的抗紫外效果。
本發明授權太陽電池及其制備方法、光伏組件在權利要求書中公布了：1.一種太陽電池，其特征在于，所述太陽電池包括：硅基底，所述硅基底具有相背設置的受光面和背光面，所述硅基底的所述受光面上依次設置有第一復合鈍化層、第一摻雜層、第一透明導電層、以及第一電極，所述第一摻雜層為N型摻雜層； 其中，所述第一復合鈍化層包括： 第一本征硅層，所述第一本征硅層設置在所述硅基底上； 第一鈍化層，所述第一鈍化層設于所述第一本征硅層背離所述硅基底的一面； 第二鈍化層，所述第二鈍化層設于所述第一鈍化層背離所述第一本征硅層的一面； 第三鈍化層，所述第三鈍化層設于所述第二鈍化層背離所述第一鈍化層的一面； 所述第二鈍化層、所述第三鈍化層被配置為通過氫氣和硅烷制備得到，用于制備所述第二鈍化層的所述氫氣和所述硅烷的流量比為A1，用于制備所述第三鈍化層的所述氫氣和所述硅烷的流量比為A2，所述A1、所述A2滿足：5:1≤A1≤10:1，20:1≤A2≤50:1。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人通威太陽能(成都)有限公司，其通訊地址為：610000 四川省成都市高新綜合保稅區雙流園區綜保橫路一段；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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