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龍圖騰網(wǎng)獲悉廈門元順微電子技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利一種USB限流開(kāi)關(guān)的雙重電流保護(hù)電路獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120222272B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510695930.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H02H3/087；該發(fā)明授權(quán)一種USB限流開(kāi)關(guān)的雙重電流保護(hù)電路是由毛星貴;楊瑞聰;高耿輝設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-05-28向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種USB限流開(kāi)關(guān)的雙重電流保護(hù)電路在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及負(fù)載開(kāi)關(guān)的短路保護(hù)領(lǐng)域，具體涉及一種USB限流開(kāi)關(guān)的雙重電流保護(hù)電路，包括電流偏置模塊、升壓鉗制單元、初始化模塊、過(guò)流保護(hù)模塊、短路保護(hù)模塊、控制模塊、輸出功率MOS管、輸出電流感應(yīng)MOS管、感應(yīng)電流檢測(cè)電阻、負(fù)載電阻RL和負(fù)載電容CL；當(dāng)負(fù)載發(fā)生容性負(fù)載熱插拔事件時(shí)，輸出功率MOS管快速響應(yīng)將Vout降至負(fù)載電容CL電壓并限制尖峰電流，并進(jìn)入限流模式直至負(fù)載電容CL充電完成；當(dāng)負(fù)載發(fā)生短路事件時(shí)，輸出功率MOS管快速響應(yīng)限制尖峰電流并自動(dòng)重試；當(dāng)負(fù)載緩慢增大使輸出發(fā)生過(guò)流事件時(shí)，輸出功率MOS管進(jìn)入限流模式，實(shí)現(xiàn)為容性負(fù)載熱插拔的瞬態(tài)沖擊做出合理的保護(hù)響應(yīng)。

本發(fā)明授權(quán)一種USB限流開(kāi)關(guān)的雙重電流保護(hù)電路在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種USB限流開(kāi)關(guān)的雙重電流保護(hù)電路，其特征在于，包括電流偏置模塊、升壓鉗制單元、初始化模塊、過(guò)流保護(hù)模塊、短路保護(hù)模塊、控制模塊、輸出功率MOS管PowerFET、輸出電流感應(yīng)MOS管SenseFET、感應(yīng)電流檢測(cè)電阻Rsense、負(fù)載電阻RL和負(fù)載電容CL； 外部電源VIN與輸出功率MOS管PowerFET的漏極、感應(yīng)電流檢測(cè)電阻Rsense的一端、電流偏置模塊、升壓鉗制單元、初始化模塊、過(guò)流保護(hù)模塊、短路保護(hù)模塊電性連接； 感應(yīng)電流檢測(cè)電阻Rsense的另一端與輸出電流感應(yīng)MOS管SenseFET的漏極、過(guò)流保護(hù)模塊的第一輸入端和短路保護(hù)模塊的第一輸入端電性連接，電流偏置模塊輸出偏置電流至初始化模塊的第一輸入端、過(guò)流保護(hù)模塊的第二輸入端、短路保護(hù)模塊的第二輸入端，初始化模塊的輸出端與過(guò)流保護(hù)模塊電性連接，過(guò)流保護(hù)模塊的輸出端與控制模塊的第一輸入端電性連接，短路保護(hù)模塊的輸出端與過(guò)流保護(hù)模塊的第三輸入端、初始化模塊的第二輸入端和控制模塊的第二輸入端電性連接，控制模塊的輸出端和升壓鉗制單元的輸出端均與輸出功率MOS管PowerFET的柵極和輸出電流感應(yīng)MOS管SenseFET的柵極電性連接，輸出功率MOS管PowerFET的源極和輸出電流感應(yīng)MOS管SenseFET的源極分別與負(fù)載電阻RL的一端和負(fù)載電容CL的一端電性連接，并輸出Vout至外部負(fù)載； 輸出功率MOS管PowerFET的襯底、輸出電流感應(yīng)MOS管SenseFET的襯底、負(fù)載電阻RL的另一端和負(fù)載電容CL的另一端均接地。

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