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龍圖騰網獲悉北京智芯微電子科技有限公司申請的專利芯片封裝方法及芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120261307B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510708189.8，技術領域涉及：H01L21/50；該發明授權芯片封裝方法及芯片是由李博夫;李德建;吳堅;韓順楓;李大猛;楊寶斌;鞏寶良;張章章設計研發完成，并于2025-05-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本芯片封裝方法及芯片在說明書摘要公布了：本申請公開了一種芯片封裝方法及芯片，屬于芯片封裝技術領域。芯片封裝方法包括：對第一目標晶圓進行晶圓測試，確定第一目標晶圓上的各待封裝芯片的功耗測試值；根據所述功耗測試值的大小將各待封裝芯片劃分為多個芯片組，并依據各所述芯片組的功耗范圍計算其允許的封裝熱阻；確定各所述芯片組滿足所述封裝熱阻對應的封裝優化結構；對第一目標晶圓上的各待封裝芯片采用對應的封裝優化結構進行封裝。根據晶圓上的各待封裝芯片的功耗進行分組，并針對各芯片組的封裝熱阻選擇相應的封裝優化方案進行封裝，使得高功耗芯片使用高散熱封裝、低功耗芯片使用低散熱封裝，在滿足芯片性能的前提下，解決了熱冗余和散熱不足的問題，達到低成本高性能封裝。

本發明授權芯片封裝方法及芯片在權利要求書中公布了：1.一種芯片封裝方法，其特征在于，包括： 對第一目標晶圓進行晶圓測試，確定所述第一目標晶圓上的各待封裝芯片的功耗測試值，所述晶圓測試的測試溫度范圍包括-50℃~120℃，所述第一目標晶圓上的各所述待封裝芯片具有相同的電路架構，所述待封裝芯片的靜態功耗在總功耗中的比重隨溫度升高而增大，所述第一目標晶圓上的所述待封裝芯片具有不同的靜態功耗； 根據所述功耗測試值的大小將各待封裝芯片劃分為多個芯片組，并依據各所述芯片組的功耗范圍計算其允許的封裝熱阻； 確定各所述芯片組滿足所述封裝熱阻對應的封裝優化結構，不同的所述封裝優化結構具有不同的散熱性能； 對所述第一目標晶圓上的各所述待封裝芯片采用對應的所述封裝優化結構進行封裝，同一所述芯片組內的所述待封裝芯片采用同樣的所述封裝優化結構封裝； 根據若干個所述第一目標晶圓上的所述芯片組的分布情況生成晶圓功耗分布圖，所述晶圓功耗分布圖基于待封裝芯片的功耗測試值確定各待封裝芯片的分布區域； 根據所述晶圓功耗分布圖對第二目標晶圓上各待封裝芯片采用與所述分布區域對應的封裝優化結構進行封裝，所述第二目標晶圓上的各所述待封裝芯片與所述第一目標晶圓上的各所述待封裝芯片具有相同的電路架構； 所述晶圓功耗分布圖包括功耗分布區和臨界測試區，所述功耗分布區內分布有同一所述芯片組的待封裝芯片，所述臨界測試區位于多個所述功耗分布區之間，且分布有多個所述芯片組的待封裝芯片；各所述功耗分布區和所述臨界測試區在晶圓上沿從內向外的方向依次交替排布，外側的區域包圍內側的區域，所述臨界測試區分布有相鄰兩個所述功耗分布區對應的芯片組的待封裝芯片，位于外側的所述功耗分布區內的待封裝芯片的功耗測試值大于位于內側的所述功耗分布區內的待封裝芯片的功耗測試值。

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