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龍圖騰網獲悉山東工業陶瓷研究設計院有限公司申請的專利一種氮化硼增韌的高導熱氮化硅陶瓷的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120329052B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510782688.1，技術領域涉及：C04B35/584；該發明授權一種氮化硼增韌的高導熱氮化硅陶瓷的制備方法是由張萍萍;戴一鳴;王同同;欒強;韋其紅;劉瑞祥;王洪升設計研發完成，并于2025-06-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種氮化硼增韌的高導熱氮化硅陶瓷的制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種氮化硼增韌的高導熱氮化硅陶瓷的制備方法，屬于氮化硅陶瓷的技術領域，制備方法，包括以下步驟：氮化硼纖維預處理，氣相沉積，原料混合，壓制成型，氣壓燒結；所述氣相沉積的方法為，采用非平衡磁控濺射方法，以碳化硼靶和氧化鎂靶為靶材在活化后的氮化硼纖維表面進行氣相沉積；本發明制備的高導熱氮化硅陶瓷在保持氮化硅陶瓷高導熱性能的同時，還能提高其韌性，制備的氮化硅陶瓷的氮化硅陶瓷的熱導率為79.2~81.0Wm?K，抗彎強度為738~745MPa，斷裂韌性為11.3~11.6MPa?m12，彈性模量為263~270GPa，密度為3.09~3.15gcm3。

本發明授權一種氮化硼增韌的高導熱氮化硅陶瓷的制備方法在權利要求書中公布了：1.一種氮化硼增韌的高導熱氮化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，所述制備方法，包括以下步驟：氮化硼纖維預處理，氣相沉積，原料混合，壓制成型，氣壓燒結； 所述氣相沉積的方法為，采用非平衡磁控濺射方法，以碳化硼靶和氧化鎂靶為靶材，將活化后的氮化硼纖維放入磁控濺射設備的樣品架上，抽真空至5.0×10-3Pa以下，通入氬氣16~18sccm，在底基上加-300~-400V的偏壓，電離氬離子濺射清洗樣品表面15~20min，然后將底基偏壓調整為-70~-100V，設置氬氣流量為25~28sccm，控制碳化硼靶材電流1.5~2.0A，沉積3.5~4h，再調整底基偏壓為-180~-200V，控制氧化鎂靶材電流1.5~2.0A，氬氣流量不變，沉積氧化鎂表層15~20min，沉積結束取出纖維后再進行短切處理，得到復合涂層氮化硼纖維； 所述原料混合的方法為，將α-氮化硅粉末、復合涂層氮化硼纖維、燒結助劑、β-氮化硅晶種和乙醇加入球磨設備中，球磨4-6h后得到氮化硅懸浮液，將懸浮液過濾、干燥得到混合原料。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東工業陶瓷研究設計院有限公司，其通訊地址為：255000 山東省淄博市高新區裕民路128號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。