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龍圖騰網獲悉真賀科技(江蘇)有限公司申請的專利一種芯片BI電性能的老化測試方法及系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120314759B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510799876.5，技術領域涉及：G01R31/28；該發明授權一種芯片BI電性能的老化測試方法及系統是由何俊明;尤力;高先圣;曹梓晏設計研發完成，并于2025-06-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種芯片BI電性能的老化測試方法及系統在說明書摘要公布了：本發明涉及芯片老化測試技術領域，公開了一種芯片BI電性能的老化測試方法及系統，所述方法包括獲取測試時間、溫度和電壓；根據這些特征，輸入到預設模型中，得到預測電性能參數；獲取測試中的當前電性能參數，并計算當前電性能參數與預測值的變化特征；當變化特征不符合對應條件時，計算第一、第二和或第三量化指標；將這些量化指標輸入芯片壽命預測模型，得到壽命預測結果。本方法能夠實現對芯片在實際應用中的性能變化狀態或者真實壽命的準確反映。

本發明授權一種芯片BI電性能的老化測試方法及系統在權利要求書中公布了：1.一種芯片BI電性能的老化測試方法，其特征在于，包括： 獲取芯片老化測試前的測試時間、測試溫度和測試電壓； 分別將所述測試時間、所述測試溫度和所述測試電壓輸入到預設的時間趨勢模型、溫度關聯模型和電壓關聯模型中，得到預測電性能參數，其中，所述預測電性能參數包括預測漏電流、預測閾值電壓和預測驅動能力值； 獲取測試過程中的當前電性能參數； 計算所述當前電性能參數與所述預測電性能參數之間的變化特征，所述變化特征包括漏電流變化率、閾值電壓漂移程度和驅動能力變化趨勢圖； 當判定所述漏電流變化率超過預設變化率閾值時，則計算得到漏電流異常變化時間段的第一量化指標； 當判定所述閾值電壓漂移程度呈現非線性變化時，則擬合得到材料特性退化的第二量化指標； 當判定所述驅動能力變化趨勢圖呈現加速趨勢時，則擬合得到電場分布異常的第三量化指標； 將所述第一量化指標、第二量化指標和或第三量化指標輸入到預設的芯片壽命預測模型中，得到壽命預測結果。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人真賀科技(江蘇)有限公司，其通訊地址為：214124 江蘇省無錫市經濟開發區大通路503號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。