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龍圖騰網(wǎng)獲悉安徽方勝電子科技有限公司申請(qǐng)的專利一種提高聚酰亞胺薄膜熱導(dǎo)率和電擊穿強(qiáng)度的方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120329733B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510805755.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C08L79/08；該發(fā)明授權(quán)一種提高聚酰亞胺薄膜熱導(dǎo)率和電擊穿強(qiáng)度的方法是由方曉棟設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-06-17向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種提高聚酰亞胺薄膜熱導(dǎo)率和電擊穿強(qiáng)度的方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種提高聚酰亞胺薄膜熱導(dǎo)率和電擊穿強(qiáng)度的方法，涉及先進(jìn)材料領(lǐng)域，包括利用氨基化硅氧烷偶聯(lián)劑對(duì)導(dǎo)熱填料進(jìn)行預(yù)處理，從而在表面形成胺基活性位點(diǎn)，進(jìn)而在填料表面構(gòu)筑特殊結(jié)構(gòu)的聚合物納米刷；利用該類納米刷與聚酰亞胺基體良好的相容性、連纏結(jié)、氫鍵和π?π堆積等多層次作用，從而實(shí)現(xiàn)納米填料的均勻分散和強(qiáng)界面構(gòu)筑，在低添加量下大幅度提升聚酰亞胺薄膜的熱導(dǎo)率；同時(shí)，基于無(wú)機(jī)納米填料的抗擊穿特性，提升聚酰亞胺薄膜的電擊穿強(qiáng)度。

本發(fā)明授權(quán)一種提高聚酰亞胺薄膜熱導(dǎo)率和電擊穿強(qiáng)度的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種提高聚酰亞胺薄膜熱導(dǎo)率和電擊穿強(qiáng)度的方法，其特征在于，使用氨基化硅氧烷對(duì)導(dǎo)熱填料進(jìn)行預(yù)處理，在導(dǎo)熱填料表面形成胺基活性位點(diǎn)，于導(dǎo)熱填料表面構(gòu)筑聚合物納米刷，將改性導(dǎo)熱填料與聚酰胺酸溶液共混并流延成膜，在熱環(huán)化反應(yīng)后得到聚酰亞胺薄膜，其中，氨基化硅氧烷為氨基乙基氨基丙基三甲氧基硅烷、氨乙基氨丙基聚二甲基硅氧烷或3-氨基丙基三乙氧基硅烷中的一種，含聚合物納米刷的導(dǎo)熱填料添加量為2wt％-10wt％，合成聚合物納米刷的原料為偏苯三酸酐酰氯，二胺單體和二酐單體； 其中，二胺單體為2-4-氨基苯基-5-氨基苯并咪唑或4,4'-二氨基苯酰替苯胺中的一種，二酐單體為均苯四甲酸酐、聯(lián)苯四酸二酐、二苯甲酮四酸二酐或二苯醚四酸二酐中的一種； 所述聚酰亞胺薄膜的制備方法，包括如下步驟： 1將導(dǎo)熱填料、氨基化硅氧烷和無(wú)水乙醇放入球磨罐中，導(dǎo)熱填料與無(wú)水乙醇質(zhì)量比為1：1-2，在200-1000rpm轉(zhuǎn)速下球磨處理2-10h，球磨后利用去離子水洗滌樣品去除未反應(yīng)物，并抽濾真空干燥； 2將球磨處理的導(dǎo)熱填料超聲分散在N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺或N-甲基-吡咯烷酮溶劑中，向溶劑中添加偏苯三酸酐酰氯，改性導(dǎo)熱填料與偏苯三酸酐酰氯的質(zhì)量比為3-5：1，在室溫下攪拌反應(yīng)3-5h； 3向步驟2反應(yīng)液中添加二胺單體和二酐單體，二胺單體和二酐單體的摩爾比為1:0.95，總反應(yīng)物質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2wt％-5wt％，室溫下攪拌10-12h，在導(dǎo)熱填料表面構(gòu)筑聚酰胺酸納米刷，反應(yīng)結(jié)束后通過(guò)真空抽濾以及洗滌、干燥制備含聚合物納米刷結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱填料； 4將步驟3合成的改性導(dǎo)熱填料與聚酰胺酸溶液共混，在室溫下攪拌10-12h，通過(guò)真空脫泡和流延成膜，并將其放置在真空烘箱中經(jīng)過(guò)100℃和300℃各熱處理1h完成熱環(huán)化反應(yīng)制備導(dǎo)熱聚酰亞胺膜。

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