合肥晶合集成電路股份有限公司陳興獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利MOS器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120456581B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510962115.7，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權MOS器件及其制作方法是由陳興設計研發完成，并于2025-07-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本MOS器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種MOS器件及其制作方法，其中方法包括以下步驟：在MOS器件的硅襯底表面形成氧化硅層；在氧化硅層上依次沉積高介電常數的第一材料層和犧牲層，刻蝕犧牲層，形成犧牲柵極結構；在犧牲柵極結構上形成低介電常數的第二材料層并刻蝕，在犧牲柵極結構兩側形成偏移側墻結構；刻蝕偏移側墻結構兩側硅襯底上的第一材料層，并在硅襯底上形成低摻雜漏極區域；在偏移側墻結構外側形成一定厚度的第三材料層，該第三材料層為低介電常數材料層；形成源漏極高摻雜區域；刻蝕犧牲柵極結構及其下方的第一材料層，形成柵極區域凹槽，并在柵極區域凹槽內形成柵極；完成MOS器件的后續工藝。本發明可增大MOS器件的導通電流，提高器件性能。
本發明授權MOS器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種MOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟： 在MOS器件完成淺槽隔離、溝道摻雜工藝之后，在硅襯底表面形成氧化硅層； 在氧化硅層上依次沉積第一材料層和犧牲層，刻蝕犧牲層，形成犧牲柵極結構；其中，該第一材料層為高介電常數材料層； 在犧牲柵極結構上形成第二材料層并刻蝕，在犧牲柵極結構兩側形成偏移側墻結構，該第二材料層為低介電常數材料層； 刻蝕偏移側墻結構兩側硅襯底上的第一材料層，并在硅襯底上形成初始的低摻雜漏極區域； 在偏移側墻結構外側形成一定厚度的第三材料層，該第三材料層為低介電常數材料層；刻蝕第三材料層，形成主側墻結構，并在硅襯底上形成源漏極高摻雜區域； 刻蝕犧牲柵極結構及其下方的第一材料層，形成柵極區域凹槽，并在柵極區域凹槽內形成柵極； 完成MOS器件的后續工藝。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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