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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州中瑞宏芯半導(dǎo)體有限公司申請的專利一種半導(dǎo)體器件及其制造方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN120529620B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202511019520.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/66；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及其制造方法是由張振中;劉迅航;王廷廷設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-23向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種半導(dǎo)體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，半導(dǎo)體器件可以包括碳化硅本體、柵極溝槽、本體區(qū)、源極區(qū)以及屏蔽區(qū)，柵極溝槽開設(shè)于碳化硅本體的第一表面；本體區(qū)構(gòu)成柵極溝槽的部分側(cè)壁；源極區(qū)構(gòu)成柵極溝槽的部分側(cè)壁，源極區(qū)位于本體區(qū)與第一表面之間；屏蔽區(qū)從第一表面延伸到碳化硅本體中，且設(shè)置于柵極溝槽兩側(cè)，屏蔽區(qū)包括位于多個柵極溝槽中任意相鄰的兩個柵極溝槽之間的半包圍屏蔽區(qū)；其中，半包圍屏蔽區(qū)構(gòu)成兩個柵極溝槽中的一個柵極溝槽的側(cè)壁和部分底部，且覆蓋位于兩個柵極溝槽之間的源極區(qū)的遠(yuǎn)離本體區(qū)的一側(cè)；位于兩個柵極溝槽之間的源極區(qū)中的遠(yuǎn)離半包圍屏蔽區(qū)的一側(cè)，部分地暴露于兩個柵極溝槽中的另一個柵極溝槽。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括： 碳化硅本體； 多個柵極溝槽，開設(shè)于所述碳化硅本體的第一表面； 本體區(qū)，構(gòu)成至少一個所述柵極溝槽的部分側(cè)壁； 源極區(qū)，構(gòu)成至少一個所述柵極溝槽的部分側(cè)壁，且位于所述本體區(qū)與所述第一表面之間； 屏蔽區(qū)，從所述第一表面延伸到所述碳化硅本體，且位于所述柵極溝槽兩側(cè)，所述屏蔽區(qū)包括： 半包圍屏蔽區(qū)，位于所述多個柵極溝槽中相鄰的兩個柵極溝槽之間，且構(gòu)成所述兩個柵極溝槽中的一個柵極溝槽的側(cè)壁和部分底部，并覆蓋位于所述兩個柵極溝槽之間的所述源極區(qū)遠(yuǎn)離所述本體區(qū)的一側(cè)， 其中，位于所述兩個柵極溝槽之間的所述源極區(qū)中遠(yuǎn)離所述半包圍屏蔽區(qū)的一側(cè)部分地暴露于所述兩個柵極溝槽中的另一個柵極溝槽。

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