深圳市中科光芯半導體科技有限公司鄭君雄獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市中科光芯半導體科技有限公司申請的專利一種垂直腔面發射激光器的封裝方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN120545791B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202511020833.9,技術領域涉及:H01S5/02212;該發明授權一種垂直腔面發射激光器的封裝方法是由鄭君雄;郭丁凱;黃爽;鄭春海設計研發完成,并于2025-07-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種垂直腔面發射激光器的封裝方法在說明書摘要公布了:本發明涉及激光器封裝技術領域,具體涉及一種垂直腔面發射激光器的封裝方法,該方法包括:TO封裝之前,獲取若干個Z軸距離下的管座圖像;根據每個距離下的管座圖像分析管座圖像模糊情況,確定每個距離下的管座圖像的優選發光點中心位置;根據相鄰距離下的管座圖像中優選發光點中心位置的變化情況確定TO管帽的傾斜程度,利用傾斜程度進行管座的同軸偏移量矯正;基于同軸偏移量矯正后的TO管座與TO管帽的對準結果,進行TO封裝。本發明通過克服圖像模糊導致的反光中心位置確認偏移的缺陷,顯著增強了TO器件的耦合效率和封裝一致性。
本發明授權一種垂直腔面發射激光器的封裝方法在權利要求書中公布了:1.一種垂直腔面發射激光器的封裝方法,其特征在于,包括以下步驟: 在垂直腔面發射激光器TO封裝之前,獲取若干個距離下的管座圖像;其中,所述距離為TO管座與TO管帽間的Z軸距離; 根據每個距離下的管座圖像分析管座圖像模糊情況,確定每個距離下的管座圖像的優選發光點中心位置; 根據相鄰距離下的管座圖像中所述優選發光點中心位置的變化情況確定所述TO管帽的傾斜程度,利用所述傾斜程度進行管座的同軸偏移量矯正; 基于同軸偏移量矯正后的TO管座與TO管帽的對準結果,進行TO封裝; 所述根據每個距離下的管座圖像分析管座圖像模糊情況,確定每個距離下的管座圖像的優選發光點中心位置,包括: 對于每個距離下的管座圖像,使管座圖像進行邊緣檢測得到各個邊緣連通域,基于各個邊緣連通域確定管座圖像的模糊程度; 根據所述管座圖像的模糊程度,結合所述邊緣連通域的預測圓心位置,確定每個所述邊緣連通域的梯度修正程度; 利用所述梯度修正程度對所述管座圖像中每個像素點的原始梯度值進行修正,得到每個像素點的修正梯度值; 根據管座圖像中每個像素點的修正梯度值,確定管座圖像的優選發光點中心位置。
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