中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所朱江鵬獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所申請的專利異質襯底外延生長方法、異質外延結構及其應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120568935B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202511056510.5，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權異質襯底外延生長方法、異質外延結構及其應用是由朱江鵬;徐俞;徐建喜;王亮;徐科設計研發完成，并于2025-07-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本異質襯底外延生長方法、異質外延結構及其應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種異質襯底外延生長方法、異質外延結構及其應用。所述生長方法包括：在異質襯底表面形成介質層和掩膜層，掩膜層具有第一窗口；對介質層進行過刻蝕形成第二窗口，第二窗口的寬度大于第一窗口；繼續利用第一窗口對異質襯底進行等離子體處理形成轉化區，轉化區與第二窗口的邊緣之間形成襯底暴露區；利用襯底暴露區進行異質外延生長。本發明可以利用非常大的掩膜窗口占空比極大程度上抑制位錯延伸，此外還可以在獲得極窄襯底暴露區的基礎上控制剩余介質層的寬度不會過寬，有利于側向合并，提高制備效率和異質外延層的品質，還可以降低對高精度光刻設備的需求，有利于異質外延技術的廣泛應用。
本發明授權異質襯底外延生長方法、異質外延結構及其應用在權利要求書中公布了：1.一種異質襯底外延生長方法，其特征在于，包括： 在異質襯底表面形成介質層和掩膜層，所述掩膜層具有第一窗口，所述第一窗口暴露出所述介質層的表面； 利用所述第一窗口對所述介質層進行過刻蝕，在所述介質層中形成第二窗口，所述第二窗口的寬度大于所述第一窗口，且所述第二窗口暴露出所述異質襯底的表面； 繼續利用所述第一窗口對所述異質襯底進行等離子體處理，以使所述第一窗口的對應區域中的所述異質襯底的表面材質發生轉化，形成轉化區，所述轉化區與所述第二窗口的邊緣之間形成襯底暴露區； 去除所述掩膜層并利用所述襯底暴露區進行異質外延生長，得到異質外延層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市工業園區若水路398號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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