朗姆研究公司馬修·斯科特·韋默獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉朗姆研究公司申請的專利通過高功率脈沖低頻率RF產生的高選擇性、低應力、且低氫的類金剛石碳硬掩模獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113891954B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080039821.X，技術領域涉及：C23C16/04；該發明授權通過高功率脈沖低頻率RF產生的高選擇性、低應力、且低氫的類金剛石碳硬掩模是由馬修·斯科特·韋默;普拉莫德·蘇布拉莫尼姆;拉格什·普頓科維拉卡姆;白如君;大衛·弗倫奇設計研發完成，并于2020-05-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本通過高功率脈沖低頻率RF產生的高選擇性、低應力、且低氫的類金剛石碳硬掩模在說明書摘要公布了：本發明提供了通過使低頻射頻部分在高功率下脈沖化而在襯底上沉積可灰化硬掩模AHM的方法和相關設備。使低頻功率脈沖化可用于增加AHM的選擇性或減小AHM的應力。接著可利用AHM將特征蝕刻至襯底的下伏層中。
本發明授權通過高功率脈沖低頻率RF產生的高選擇性、低應力、且低氫的類金剛石碳硬掩模在權利要求書中公布了：1.一種形成可灰化硬掩模AHM膜的方法，其包含： 將半導體襯底暴露于處理氣體，所述處理氣體包含烴前體氣體和氦氣，不具有任何其他惰性氣體；以及 通過等離子體增強化學氣相沉積PECVD處理，在所述半導體襯底上沉積AHM膜，其中所述處理包含： 點燃由包含高頻HF部分和低頻LF部分的雙射頻RF等離子體源產生的等離子體， 所述HF部分的功率在沉積期間不變，且 所述LF部分的功率以介于每300mm晶片3500W與6500W之間以及介于10％與75％之間的工作周期脈沖化。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人朗姆研究公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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