三星電子株式會社鄭在珉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利覆晶薄膜及其制造方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111477593B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：201910983732.X，技術領域涉及：H01L23/14；該發(fā)明授權覆晶薄膜及其制造方法是由鄭在珉設計研發(fā)完成，并于2019-10-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本覆晶薄膜及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開提供一種覆晶薄膜及其制造方法，所述覆晶薄膜包括：絕緣薄膜，包括用于接合到外部器件的接合區(qū)；多個互連件，設置在絕緣薄膜上且局部地延伸到接合區(qū)中；以及集成電路IC芯片，設置在絕緣薄膜上以電連接到所述多個互連件。覆晶薄膜還包括：阻焊劑，被設置成覆蓋除接合區(qū)以外的絕緣薄膜且覆蓋除延伸到接合區(qū)中的部分以外的所述多個互連件；以及臺階部，位于接合區(qū)與阻焊劑之間。臺階部形成防止阻焊劑流動到接合區(qū)中的邊界。本公開的覆晶薄膜可減小顯示器件的圈口的寬度。
本發(fā)明授權覆晶薄膜及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種覆晶薄膜，包括： 絕緣薄膜，包括用于接合到外部器件的接合區(qū)； 多個互連件，設置在所述絕緣薄膜上且局部地延伸到所述接合區(qū)中； 集成電路芯片，設置在所述絕緣薄膜上以電連接到所述多個互連件； 阻焊劑，被設置成覆蓋除所述接合區(qū)以外的所述絕緣薄膜且覆蓋除延伸到所述接合區(qū)中的部分以外的所述多個互連件；以及 臺階部，位于所述接合區(qū)與所述阻焊劑之間，所述臺階部形成防止所述阻焊劑流動到所述接合區(qū)中的邊界，其中所述臺階部是位于所述多個互連件及所述絕緣薄膜的表面中的溝槽。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道水原市靈通區(qū)三星路129號；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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