武漢飛恩微電子有限公司王小平獲國(guó)家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉武漢飛恩微電子有限公司申請(qǐng)的專利一種集成芯片、厚膜壓力傳感器及其制造方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號(hào)為:CN112857635B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為:202110095679.7,技術(shù)領(lǐng)域涉及:G01L1/22;該發(fā)明授權(quán)一種集成芯片、厚膜壓力傳感器及其制造方法是由王小平;曹萬;李凡亮;吳登峰;李兵設(shè)計(jì)研發(fā)完成,并于2021-01-25向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。
本一種集成芯片、厚膜壓力傳感器及其制造方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種集成芯片、厚膜壓力傳感器及其制造方法,該用于厚膜壓力傳感器的集成芯片包括彈性金屬膜片以及導(dǎo)電電路,彈性金屬膜片具有用于感壓的變形區(qū)及與所述變形區(qū)連接的連接區(qū),導(dǎo)電電路包括若干個(gè)壓敏電阻和熱敏電阻,所述若干個(gè)壓敏電阻設(shè)于所述彈性金屬膜片的上表面且設(shè)于在所述變形區(qū),所述熱敏電阻設(shè)于所述彈性金屬膜片的上表面且設(shè)于所述連接區(qū)。
本發(fā)明授權(quán)一種集成芯片、厚膜壓力傳感器及其制造方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種用于厚膜壓力傳感器的集成芯片,其特征在于,包括: 彈性金屬膜片,具有用于感壓的變形區(qū)及與所述變形區(qū)連接的連接區(qū); 導(dǎo)電電路,包括若干個(gè)壓敏電阻和熱敏電阻,所述若干個(gè)壓敏電阻設(shè)于所述彈性金屬膜片的上表面且設(shè)于在所述變形區(qū),所述熱敏電阻設(shè)于所述彈性金屬膜片的上表面且設(shè)于所述連接區(qū); 所述彈性金屬膜片的厚度根據(jù)壓力量程和受力分析確定,確定過程如下: 1對(duì)于彈性金屬膜片的小變形受力分析 根據(jù)小變形理論,彈性金屬膜片在施加壓力的條件下,彈性金屬膜片的最大位移不超過彈性金屬膜片厚度的30%,即: y0≤0.3h;1 在均布?jí)毫的作用下,圓形的彈性金屬膜片的位移如下: 與受壓膜片的位移變化一樣,金屬膜片內(nèi)部的應(yīng)力分布也隨膜片的厚度h和距離膜片中心的距離r變化而變化;在給定的距離r上,膜片的一面受到張應(yīng)力,另一面受到壓應(yīng)力;同時(shí)膜片內(nèi)部存在兩種應(yīng)力,即徑向應(yīng)力σr及其最大值σrmax為: 當(dāng)徑向應(yīng)力為零時(shí): r=a1+v3+v12;5切向應(yīng)力σt和徑向應(yīng)力σr: 距膜片中心距離為r的切向應(yīng)力σt及其最大值σtmax為: 2彈性金屬膜片的位移與壓力的關(guān)系 當(dāng)彈性金屬膜片在壓力作用P下的最大位移大于彈性金屬膜片的厚度的30%,假設(shè)彈性金屬膜片仍處于彈性范圍內(nèi),則關(guān)于壓力P與彈性金屬膜片位移y的關(guān)系式如下:
如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)@麢?quán)人武漢飛恩微電子有限公司,其通訊地址為:430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道818號(hào)高科醫(yī)療器械園B區(qū)12號(hào)樓3層2號(hào)(自貿(mào)區(qū)武漢片區(qū));或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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