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龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115692306B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110833194.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/762；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法是由張雁紅;楊鵬設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-07-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括提供具有溝槽的基底，基底中除去溝槽的區(qū)域構(gòu)成間隔設(shè)置的多個有源區(qū)；在溝槽的內(nèi)壁上形成依次層疊設(shè)置的第一隔離層和第二隔離層，第一隔離層的頂面低于第二隔離層的頂面，以使第二隔離層與有源區(qū)之間形成凹槽；在凹槽內(nèi)形成阻擋層。本申請通過使第二隔離層與有源區(qū)之間形成凹槽，并在凹槽內(nèi)形成阻擋層，利用阻擋層的刻蝕速率小于第一隔離層的刻蝕速率，在后續(xù)刻蝕去除位于基底上的其他膜層時，不會對阻擋層造成過刻蝕，進而不會造成隔離結(jié)構(gòu)的缺失，這樣可以避免相鄰的有源區(qū)之間產(chǎn)生漏電流，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括如下步驟： 提供基底，所述基底內(nèi)具有溝槽，且所述基底中除去溝槽的區(qū)域構(gòu)成間隔設(shè)置的多個有源區(qū)； 在所述溝槽的內(nèi)壁上形成依次層疊設(shè)置的第一隔離層和第二隔離層，所述第一隔離層的頂面低于所述第二隔離層的頂面，以使所述第二隔離層與所述有源區(qū)之間形成凹槽，所述第二隔離層在所述溝槽內(nèi)圍成中間溝槽； 在所述凹槽內(nèi)形成阻擋層，所述阻擋層的刻蝕速率小于所述第一隔離層的刻蝕速率； 在所述中間溝槽內(nèi)形成第三隔離層，所述第三隔離層填充滿所述中間溝槽，所述第一隔離層、所述第二隔離層、所述第三隔離層以及所述阻擋層構(gòu)成隔離結(jié)構(gòu)。

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