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龍圖騰網獲悉株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115117164B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110878851.6，技術領域涉及：H10D12/00；該發明授權半導體裝置是由花形祥子設計研發完成，并于2021-08-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：實施方式涉及半導體裝置，多個IGBT區域和多個二極管區域沿第一方向交替設定，并具有第一～第三電極和半導體部分。所述半導體部分具有第一導電型的集電極層、第二導電型的低濃度和高濃度的陰極層、第二導電型的漂移層、第一導電型的陽極層及基極層、以及第二導電型的發射極層。所述低濃度陰極層和所述高濃度陰極層與所述第一電極相接。當將所述半導體部分的下表面中的所述二極管區域沿著所述第一方向三等分為第一周邊區域、中央區域以及第二周邊區域時，所述中央區域中的所述低濃度陰極層的面積率比所述第一周邊區域以及所述第二周邊區域中的所述低濃度陰極層的面積率高。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，是多個IGBT區域和多個二極管區域沿著第一方向交替設定的半導體裝置，其特征在于，具備： 第一電極； 設置在所述第一電極上的半導體部分， 所述半導體部分具有： 設置在所述IGBT區域并與所述第一電極相接的第一導電型的集電極層、 設置在所述二極管區域并與所述第一電極相接的第二導電型的低濃度陰極層、 設置在所述二極管區域并與所述第一電極相接且為第二導電形的、雜質濃度比所述低濃度陰極層的雜質濃度高的高濃度陰極層、 設置在所述集電極層上、所述低濃度陰極層上以及所述高濃度陰極層上的第二導電型的漂移層、 在所述二極管區域中局部地設置在所述漂移層上的多個第一導電型的陽極層、 在所述IGBT區域中局部地設置在所述漂移層上的多個的第一導電型的基極層、以及 在所述IGBT區域中設置在所述基極層上的第二導電型的發射極層， 將所述半導體部分的下表面的所述二極管區域沿著所述第一方向三等分為第一周邊區域、中央區域以及第二周邊區域時，所述中央區域中的所述低濃度陰極層的面積率比所述第一周邊區域以及所述第二周邊區域中的所述低濃度陰極層的面積率高； 第二電極，在所述IGBT區域和所述二極管區域中設置在所述半導體部分上，與所述陽極層以及所述發射極層連接； 第三電極，設置在所述IGBT區域，與所述發射極層、所述基極層以及所述漂移層對置；以及 絕緣膜，設置在所述半導體部分與所述第三電極之間。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。