買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116230636B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111470775.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/01；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法是由陳建;王彥設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-03向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中形成方法包括：提供襯底，襯底包括基底、犧牲鰭部和若干器件鰭部，襯底包括隔離區(qū)和若干器件區(qū)，若干器件鰭部位于器件區(qū)，犧牲鰭部位于隔離區(qū)；在襯底上形成初始隔離層，初始隔離層覆蓋器件鰭部、犧牲鰭部的側(cè)壁；去除犧牲鰭部，在初始隔離層內(nèi)形成隔離開口；在隔離開口內(nèi)形成介電鰭部；形成柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)橫跨位于器件區(qū)上的若干器件鰭部，柵極結(jié)構(gòu)露出介電鰭部的頂部表面。通過去除犧牲鰭部形成隔離開口，使得位于介電鰭部兩側(cè)的柵極結(jié)構(gòu)之間的間隔較小。當(dāng)位于所述介電鰭部兩側(cè)的柵極結(jié)構(gòu)之間的間隔較小時，對應(yīng)的所述柵極結(jié)構(gòu)的體積增大，進(jìn)而使得后續(xù)在所述柵極結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的設(shè)計窗口增大。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底包括基底以及位于所述基底上的相互分立的犧牲鰭部和若干器件鰭部，所述襯底包括隔離區(qū)以及若干器件區(qū)，所述隔離區(qū)位于相鄰的所述器件區(qū)之間，若干所述器件鰭部分別位于所述器件區(qū)，所述犧牲鰭部位于所述隔離區(qū)； 在所述襯底上形成初始隔離層，所述初始隔離層覆蓋所述器件鰭部和所述犧牲鰭部的側(cè)壁； 去除所述犧牲鰭部，在所述初始隔離層內(nèi)形成隔離開口； 在所述隔離開口內(nèi)形成介電鰭部，所述介電鰭部的頂部表面高于所述器件鰭部的頂部表面； 在形成所述介電鰭部之后，回刻蝕所述初始隔離層，形成隔離層，所述隔離層的頂部表面低于所述器件鰭部的頂部表面； 在所述隔離層上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)橫跨位于所述器件區(qū)上的若干器件鰭部，且所述柵極結(jié)構(gòu)覆蓋所述介電鰭部的側(cè)壁，暴露出所述介電鰭部的頂部表面；其中， 所述犧牲鰭部和若干所述器件鰭部通過自對準(zhǔn)多重圖形化工藝形成。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區(qū)張江路18號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。