意法半導體有限公司;意法半導體(克洛爾2)公司O·韋伯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉意法半導體有限公司;意法半導體(克洛爾2)公司申請的專利集成標準單元的設置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114649325B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111546019.2，技術領域涉及：H10D89/10；該發明授權集成標準單元的設置是由O·韋伯;C·勒科克設計研發完成，并于2021-12-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本集成標準單元的設置在說明書摘要公布了：本公開涉及集成標準單元的設置。集成電路包括至少一個第一標準單元，該至少一個第一標準單元由兩個第二標準單元框定。該三個單元被彼此相鄰設置，并且每個標準單元包括位于絕緣體上硅silicon?on?insulator，SOI襯底中和上的至少一個NMOS晶體管和至少一個PMOS晶體管。第一標準單元的至少一個PMOS晶體管具有包括硅和鍺的溝道。每個第二標準單元的至少一個PMOS晶體管具有硅溝道，每個第二標準單元的至少一個PMOS晶體管的閾值電壓與所述第一單元的至少一個PMOS晶體管的閾值電壓在絕對值上不同。
本發明授權集成標準單元的設置在權利要求書中公布了：1.一種集成電路，包括： 絕緣體上硅襯底； 至少一個第一標準單元，由兩個第二標準單元框定，所述第一標準單元和所述兩個第二標準單元被彼此相鄰設置，每個單元包括： 位于所述絕緣體上硅襯底中和上的至少一個NMOS晶體管和至少一個PMOS晶體管，所述第一標準單元的至少一個PMOS晶體管具有包括硅和鍺的溝道，每個第二標準單元的至少一個NMOS晶體管具有硅溝道，所述每個第二標準單元的至少一個NMOS晶體管的閾值電壓與所述第一標準單元的至少一個PMOS晶體管的閾值電壓在絕對值上不同。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人意法半導體有限公司;意法半導體(克洛爾2)公司，其通訊地址為：法國蒙魯；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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