蕪湖啟迪半導體有限公司左萬勝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉蕪湖啟迪半導體有限公司申請的專利一種增強型SiC異質結晶體管外延結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114335135B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111638262.7，技術領域涉及：H10D62/40；該發明授權一種增強型SiC異質結晶體管外延結構及其制備方法是由左萬勝;袁松;胡新星;仇成功;劉敏;胡涵;趙海明;鈕應喜設計研發完成，并于2021-12-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種增強型SiC異質結晶體管外延結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種增強型SiC異質結晶體管外延結構及其制備方法，所述增強型SiC異質結晶體管外延結構由下至上依次包括：SiC襯底層、N型高摻雜4H?SiC緩沖層、N型低摻雜4H?SiC緩沖層、摻V高阻4H?SiC緩沖層、摻V高阻4H?SiC漂移層、4H?SiC溝道層、3C?SiC勢壘層、P型3C?SiC層；通過在4H?SiC3C?SiC異質結耗盡型基礎上生長P型3C?SiC形成增強型器件，提高器件可靠性。
本發明授權一種增強型SiC異質結晶體管外延結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種增強型SiC異質結晶體管外延結構，其特征在于，所述增強型SiC異質結晶體管外延結構由下至上依次包括：SiC襯底層、N型高摻雜4H-SiC緩沖層、N型低摻雜4H-SiC緩沖層、摻V高阻4H-SiC緩沖層、摻V高阻4H-SiC漂移層、4H-SiC溝道層、3C-SiC勢壘層、P型3C-SiC層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蕪湖啟迪半導體有限公司，其通訊地址為：241000 安徽省蕪湖市弋江區高新技術產業開發區服務外包園3號樓1803；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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