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龍圖騰網獲悉中國科學院大連化學物理研究所申請的專利一種單晶體多孔材料擴散過程可視化記錄方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116559029B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210114088.4，技術領域涉及：G01N13/00；該發明授權一種單晶體多孔材料擴散過程可視化記錄方法是由彭詩超;葉茂;李華;劉中民設計研發完成，并于2022-01-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種單晶體多孔材料擴散過程可視化記錄方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種單晶體多孔材料擴散過程可視化記錄方法，包括如下步驟：將多孔材料晶體分散至熒光共聚焦培養皿中，加入熒光探針溶液進行擾動，通過超分辨熒光顯微鏡連續記錄單晶體多孔材料的熒光信號圖像，即得到單晶體多孔材料中表面滲透與晶內擴散過程隨時間演化的圖像。本申請基于超分辨熒光顯微技術，能夠便捷地實現單晶體多孔材料表界面傳質地可視化過程，有效區分表面滲透與晶內擴散步驟，能夠定量單晶體中表面滲透率與晶內擴散系數，分析其傳質限制機制，具有十分鮮明的物理意義。通過記錄單晶體多孔材料的表界面傳質性質有效補充表面滲透與晶內擴散的基本性質，能夠為多孔材料的合成與優化提供指導。

本發明授權一種單晶體多孔材料擴散過程可視化記錄方法在權利要求書中公布了：1.一種單晶體多孔材料擴散過程可視化記錄方法，其特征在于，包括如下步驟： 將多孔材料晶體分散至熒光共聚焦培養皿中，加入熒光探針溶液進行擾動，通過超分辨熒光顯微鏡連續記錄單晶體多孔材料的熒光信號圖像，即得到單晶體多孔材料表面滲透與晶內擴散過程隨時間演化的圖像； 將多孔材料晶體分散至熒光共聚焦培養皿中，然后調節超分辨熒光顯微鏡的焦面為單晶體多孔材料的頂面，加入熒光探針溶液進行擾動，通過超分辨熒光顯微鏡連續記錄單晶體多孔材料的熒光信號圖像，即得到單晶體多孔材料表面滲透過程隨時間演化的圖像； 將多孔材料晶體分散至熒光共聚焦培養皿中，然后調節超分辨熒光顯微鏡的焦面為單晶體多孔材料的中心面，加入熒光探針溶液進行擾動，通過超分辨熒光顯微鏡連續記錄單晶體多孔材料的熒光信號圖像，即得到單晶體多孔材料表面滲透與晶內擴散過程隨時間演化的圖像； 還包括如下步驟： （a）在記錄單晶體多孔材料的熒光信號圖像時，記錄熒光強度F；其中：初始時刻時對應強度F0，時刻t時對應強度Ft，吸附平衡時對應強度F∞； （b）根據熒光探針擾動下單晶體多孔材料所達到的吸附平衡對應的熒光強度F∞，利用公式1對所測定的熒光強度變化數據進行歸一化處理，獲得歸一化探針吸附濃度隨時間變化曲線 公式1中，mt表示各個時刻下單晶體多孔材料中的吸附量，m∞表示單晶體多孔材料吸附平衡時的吸附量； （c）當吸附時間為0-40秒時，采用公式2所示的控制方程確定表面滲透率α， 公式2中，t表示吸附時間，l表示單晶體多孔材料的特征長度； （d）根據公式2所得的表面滲透率，通過公式3計算單晶體多孔材料晶內擴散系數D, 公式3中，L表示晶內擴散與表面滲透的特征時間的比值，βn表示求解方程中的參數。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院大連化學物理研究所，其通訊地址為：116023 遼寧省大連市中山路457號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。