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龍圖騰網獲悉香港應用科技研究院有限公司申請的專利具有短路保護功能的碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115485855B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202280001140.3，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權具有短路保護功能的碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)是由丘樹堅;馬晨月;王兆偉設計研發完成，并于2022-04-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有短路保護功能的碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在說明書摘要公布了：由碳化硅SiC晶片制成的集成的MOSFET?JFET器件具有N+源極、P體二極管和上N區，在多晶硅柵極的側壁上形成垂直MOSFET。上N區下方的N襯底形成漂移區，其被JFET夾住以限制飽和電流。MOSFET之間形成溝槽。通過對溝槽的底部和側壁進行摻雜以在N襯底上形成P+抽頭而形成了JFET。N襯底內的P島形成在P+抽頭下方。這些P島在靠近表面的地方比較寬，但越深入N襯底，隨著垂直間距的增加而逐漸變窄。這種P島的漸變為JFET耗盡區提供了一種錐形形狀，它夾住了N襯底中的MOSFET漂移區，以限制飽和電流并降低線性區的導通電阻。

本發明授權具有短路保護功能的碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在權利要求書中公布了：1.一種集成的金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET-結型場效應晶體管JFET器件，包括： 漏極接觸，其形成在高摻雜半導體襯底的背面，所述高摻雜半導體襯底具有高濃度的第一摻雜類型； 襯底，其形成在所述高摻雜半導體襯底的頂面上，所述襯底具有低濃度的所述第一摻雜類型； 埋島，其形成在所述襯底內，并位于所述高摻雜半導體襯底上方，所述埋島具有與所述第一摻雜類型極性相反的第二摻雜類型，所述埋島被所述襯底與所述頂面隔開，并被所述襯底與所述背面隔開； 溝槽，其從頂面進入所述襯底而形成，所述溝槽的側壁和底部摻有所述第二摻雜類型，以形成接觸所述襯底的JFET抽頭； 其中，所述溝槽形成在其中一個所述埋島的上方，其中由所述JFET抽頭和所述襯底形成JFET； 其中，所述埋島還包括：最上面的埋島，其與所述JFET抽頭相隔第一間距，并具有第一寬度；中間埋島，其與所述最上面的埋島相隔第二間距，并具有第二寬度；下面的埋島，其與所述中間埋島相隔第三間距，并具有第三寬度；所述最上面的埋島、所述中間埋島和所述下面的埋島均以所述溝槽為中心但不接觸所述溝槽；所述第一寬度比所述第二寬度寬，且所述第二寬度比所述第三寬度寬；其中所述最上面的埋島、所述中間埋島和所述下面的埋島形成錐形結構；所述第一間距小于所述第二間距，且所述第二間距小于所述第三間距；其中，對于在所述襯底中更深的埋島，所述埋島之間的垂直間距增加；其中，在線性模式期間，所述襯底中的漂移區的導通電阻通過增加所述襯底中深處的埋島之間的垂直間隔而減小； 其中，所述埋島都在飽和模式期間產生的耗盡區內，其中所述埋島中下面的埋島在線性模式期間不在所述耗盡區內； 多晶硅柵極，其形成在所述溝槽與另一溝槽之間； 源極，其形成在靠近所述多晶硅柵極的頂面，所述源極具有高濃度的所述第一摻雜類型； 體區，其形成在靠近所述多晶硅柵極的源極下方，所述體區連接到所述JFET抽頭； 其中，所述體區在被所述多晶硅柵極偏壓時形成MOSFET的溝道，所述溝道用于在所述源極和所述襯底之間傳導電流； 其中，所述體區具有低濃度的所述第二摻雜類型，其中所述低濃度比所述高濃度至少低一個數量級；以及 柵極氧化物，其將所述多晶硅柵極與所述源極、所述體區和所述襯底隔離。

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