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龍圖騰網獲悉昕原半導體(杭州)有限公司申請的專利阻變式存儲器的下電極及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115394913B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210629581.X，技術領域涉及：H10B63/00；該發明授權阻變式存儲器的下電極及其制造方法是由楊蕓;仇圣棻;陳亮;潘國華設計研發完成，并于2022-06-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本阻變式存儲器的下電極及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種阻變式存儲器的下電極及其制造方法，包括如下步驟：對帶有下電極通孔的介電層進行平坦化處理，使填充在下電極通孔內部的導電材料層全部或部分裸露出所述下電極通孔的上端；對裸露在下電極通孔上端的導電材料層進行還原化處理，在還原化處理后的導電材料層的表面選擇性生長下電極層；在下電極層的上部生長阻變層及上電極疊層后，對得到的存儲器基礎結構依次進行光刻和刻蝕；對刻蝕后的存儲器基礎結構進行金屬間介電質填充處理，并對介電質填充處理后的存儲器基礎結構進行表面平坦化處理，得到阻變式存儲器的下電極結構。利用本發明能夠解決現有工藝復雜冗長、器件底部易發生側掏、以及短路、殘渣、缺陷態等問題。

本發明授權阻變式存儲器的下電極及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種阻變式存儲器的下電極制造方法，其特征在于，包括如下步驟： 對帶有下電極通孔的介電層進行平坦化處理，使填充在所述下電極通孔內部的導電材料層全部或部分裸露出所述下電極通孔的上端； 對裸露在所述下電極通孔上端的導電材料層進行還原化處理，在還原化處理后的導電材料層的表面選擇性生長下電極層，以清理所述導電材料層的表面雜質及自然氧化物，實現所述下電極層與所述導電材料層的自對準，并控制所述下電極層的薄膜的厚度及表面的粗糙度閾值； 在所述下電極層的上部生長阻變層及上電極疊層后，對得到的存儲器基礎結構依次進行光刻和刻蝕；其中，所述阻變層包裹覆蓋所述下電極層； 對刻蝕后的存儲器基礎結構進行金屬間介電質填充處理，并對介電質填充處理后的存儲器基礎結構進行表面平坦化處理，得到阻變式存儲器的下電極結構。

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