上海新硅聚合半導體有限公司歐欣獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉上海新硅聚合半導體有限公司申請的專利一種壓電薄膜結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115064639B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210639479.8，技術領域涉及：H10N30/093；該發明授權一種壓電薄膜結構及其制備方法是由歐欣;陳陽;黃凱設計研發完成，并于2022-06-07向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種壓電薄膜結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體技術領域，本發明公開了一種壓電薄膜結構及其制備方法。該壓電薄膜結構包括依次層疊的襯底結構、壓電薄膜層和鈍化層，該鈍化層包括層疊的多個子鈍化層；該多個子鈍化層中的每個子鈍化層的材料元素包含至少部分該壓電薄膜層的材料元素；該多個子鈍化層中的子鈍化層越靠近該壓電薄膜層，該子鈍化層的材料組分中的第一類元素含量越小，第二類元素的含量越大；該第一類元素為非金屬元素；該第二類元素為金屬元素。該鈍化層能夠有效避免了壓電薄膜在清洗溶劑中，清洗溶劑對其的腐蝕，有效保證了壓電薄膜結構的壓電性能和后續鍵合的穩定性。
本發明授權一種壓電薄膜結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種壓電薄膜結構，其特征在于，包括： 襯底結構（1）； 壓電薄膜層（2），所述壓電薄膜層（2）位于所述襯底結構（1）的頂部； 鈍化層（3，所述鈍化層（3位于所述壓電薄膜的頂部；所述鈍化層（3包括層疊的多個子鈍化層；所述多個子鈍化層中的每個子鈍化層的材料元素包含至少部分所述壓電薄膜層（2）的材料元素；所述多個子鈍化層中的子鈍化層越靠近所述壓電薄膜層（2），所述子鈍化層的材料組分中的第一類元素含量越小，第二類元素的含量越大；所述第一類元素為非金屬元素；所述第二類元素為金屬元素； 所述壓電薄膜層（2）的材料包括鈮酸鋰或者鉭酸鋰； 所述鈍化層（3的材料包括氧化鈮或者氧化鉭； 所述第一類元素包括氧； 所述第二類元素包括鋰。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海新硅聚合半導體有限公司，其通訊地址為：201800 上海市嘉定區匯源路55號8幢3層J；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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