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龍圖騰網(wǎng)獲悉北海惠科半導體科技有限公司申請的專利多晶硅場板及其制備方法和應用獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115064587B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產權局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210747974.0，技術領域涉及：H10D64/00；該發(fā)明授權多晶硅場板及其制備方法和應用是由曲凱;史仁先;魯艷春設計研發(fā)完成，并于2022-06-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本多晶硅場板及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本申請公開了一種多晶硅場板及其制備方法和應用。多晶硅場板包括襯底，在襯底上設有連接區(qū)和P+環(huán)區(qū)；P+環(huán)區(qū)包括多個隔離島，每一隔離島呈框型并結合在襯底表面上，多個隔離島間隔分布，并依次圍合連接區(qū)；相鄰兩隔離島之間形成框型P+溝道，在P+溝道內填充有復合多晶硅層；復合多晶硅層包括摻雜多晶硅層和與摻雜多晶硅層層疊結合的無摻雜多晶硅層，且摻雜多晶硅層結合在P+溝道的底部，在無摻雜多晶硅層的背離摻雜多晶硅層的表面還含有導電改性層。多晶硅場板電場效應所含的復合多晶硅層導電性能高，具有良好的導通性。含有本申請多晶硅場板的半導體功率器件的可靠性等性能得到了提高。

本發(fā)明授權多晶硅場板及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種多晶硅場板，包括襯底，其特征在于：所述襯底上設有連接區(qū)和P+環(huán)區(qū)；其中，所述P+環(huán)區(qū)包括多個隔離島，每一隔離島呈框型并結合在所述襯底表面上，多個所述隔離島間隔分布，并依次圍合所述連接區(qū)； 相鄰兩所述隔離島之間形成框型P+溝道，在所述P+溝道內填充有復合多晶硅層；所述復合多晶硅層包括摻雜多晶硅層和與所述摻雜多晶硅層層疊結合的無摻雜多晶硅層，且所述摻雜多晶硅層結合在所述P+溝道的底部，在所述無摻雜多晶硅層的背離所述摻雜多晶硅層的表面還含有導電改性層； 所述導電改性層的表面方塊電阻為11±3Ω口； 所述導電改性層是由POCl3在無摻雜多晶硅層表面沉積后進行退火形成。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人北海惠科半導體科技有限公司，其通訊地址為：536000 廣西壯族自治區(qū)北海市工業(yè)園區(qū)北海大道東延線336號廣西惠科科技有限公司16幢三樓301室；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。