西安微電子技術(shù)研究所李婷獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉西安微電子技術(shù)研究所申請的專利一種背照式像元抗總劑量加固結(jié)構(gòu)和制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115172399B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210907860.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F39/18；該發(fā)明授權(quán)一種背照式像元抗總劑量加固結(jié)構(gòu)和制備方法是由李婷;何杰;徐晚成;曹天驕;袁昕;張曼;崔雙韜;楊靚;李海松設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-07-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種背照式像元抗總劑量加固結(jié)構(gòu)和制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種背照式像元抗總劑量加固結(jié)構(gòu)和制備方法，包括NMOS1管的柵區(qū)和NMOS2管的柵區(qū)；所述NMOS1管的柵區(qū)和NMOS2管的柵區(qū)呈匚型結(jié)構(gòu)，NMOS1管的柵區(qū)和NMOS2管的柵區(qū)對稱設(shè)置，所述NMOS1管的柵區(qū)和NMOS2管的柵區(qū)開口方向背離共有的有源區(qū)。解決在較小像元級電路面積約束的條件下的抗輻照加固問題。面向小尺寸背照式像元電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，滿足空間用超大規(guī)模背照式圖像傳感器的抗輻照需求。
本發(fā)明授權(quán)一種背照式像元抗總劑量加固結(jié)構(gòu)和制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種背照式像元抗總劑量加固結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括NMOS1管的柵區(qū)51和NMOS2管的柵區(qū)53； 所述NMOS1管的柵區(qū)51和NMOS2管的柵區(qū)53呈匚型結(jié)構(gòu)，NMOS1管的柵區(qū)51和NMOS2管的柵區(qū)53對稱設(shè)置，所述NMOS1管的柵區(qū)51和NMOS2管的柵區(qū)53開口方向背離共有的有源區(qū)。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人西安微電子技術(shù)研究所，其通訊地址為：710000 陜西省西安市雁塔區(qū)太白南路198號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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