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龍圖騰網(wǎng)獲悉長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法、存儲(chǔ)器獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115642129B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202210939226.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/768；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法、存儲(chǔ)器是由邵光速;肖德元;邱云松;蔣懿;蘇星松設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-08-05向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法、存儲(chǔ)器在說(shuō)明書摘要公布了：本公開實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法、存儲(chǔ)器，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法包括：在襯底中形成沿第一方向延伸的若干平行的第一溝槽以及填充第一溝槽的第一隔離結(jié)構(gòu)；第一方向平行于襯底表面；在襯底和第一隔離結(jié)構(gòu)中形成沿第二方向延伸的若干平行的第二溝槽，第一溝槽與第二溝槽將襯底切割形成多個(gè)有源柱；第二方向與第一方向垂直；第二溝槽的深度小于第一溝槽的深度；在第二溝槽的底部形成在第二方向上與第一隔離結(jié)構(gòu)交替排列的第二隔離結(jié)構(gòu)；第二隔離結(jié)構(gòu)的頂面低于第二溝槽中第一隔離結(jié)構(gòu)處的底面；在第二隔離結(jié)構(gòu)上方形成若干平行的位線結(jié)構(gòu)；位線結(jié)構(gòu)在第一方向上貫穿多個(gè)有源柱；在位線結(jié)構(gòu)上方形成若干平行的字線結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法、存儲(chǔ)器在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法包括： 提供襯底； 在所述襯底中形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一溝槽以及填充所述第一溝槽的第一隔離結(jié)構(gòu)；所述第一方向平行于所述襯底表面； 在所述襯底和所述第一隔離結(jié)構(gòu)中形成沿第二方向延伸的若干相互平行的第二溝槽，所述第一溝槽與所述第二溝槽將所述襯底切割形成多個(gè)有源柱；所述第二方向平行于所述襯底表面且與所述第一方向垂直；所述第二溝槽的深度小于所述第一溝槽的深度； 在所述第二溝槽的底部形成在所述第二方向上與所述第一隔離結(jié)構(gòu)交替排列的第二隔離結(jié)構(gòu)；所述第二隔離結(jié)構(gòu)的頂面低于所述第二溝槽中位于所述第一隔離結(jié)構(gòu)處的底面； 在所述第二隔離結(jié)構(gòu)上方形成沿所述第一方向延伸的若干相互平行的位線結(jié)構(gòu)；所述位線結(jié)構(gòu)在所述第一方向上貫穿多個(gè)所述有源柱； 在所述位線結(jié)構(gòu)上方形成沿所述第二方向延伸的若干相互平行的字線結(jié)構(gòu)。

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