廈門三安光電有限公司荊琪獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廈門三安光電有限公司申請的專利一種發光二極管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115528164B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211211499.1，技術領域涉及：H10H20/857；該發明授權一種發光二極管是由荊琪;朱秀山;陳吉;李燕;盧志龍;蔡吉明;凃如欽;張中英設計研發完成，并于2022-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種發光二極管在說明書摘要公布了：本申請提供了一種發光二極管，包括半導體疊層、設置在半導體疊層上通孔和第一絕緣層，以及設置在第一絕緣層上的第一焊盤和第二焊盤。半導體疊層包括第一半導體層，發光層和第二半導體層，第一絕緣層包括第一開口部和第二開口部，第一焊盤通過第一開口部與第一半導體層電連接，第二焊盤通過第二開口部與第二半導體層電連接。利用投影位于第一焊盤和第二焊盤之間的第二開口部，擴大電流的注入面積，進而增強電流的擴展能力和耐大電流驅動的能力，同時，也能夠在電流注入時降低電流的傳輸路徑，進而達到降低電流擁堵效應的目的。
本發明授權一種發光二極管在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管，其特征在于，包括： 半導體疊層，包括依次層疊的第一半導體層、發光層及第二半導體層； 通孔，貫穿所述第二半導體層以及發光層，顯露出所述第一半導體層的部分表面； 第一絕緣層，設置在所述半導體疊層上，具有第一開口部和第二開口部，所述第一開口部露出所述第一半導體層的部分表面； 第一焊盤，形成于所述半導體疊層上，通過所述第一開口部與所述第一半導體層電連接，在垂直于所述半導體疊層方向的平面上，所述第一焊盤的投影與所述通孔的投影不重疊； 第二焊盤，形成于所述半導體疊層上，通過所述第二開口部與所述第二半導體層電連接，在垂直于所述半導體疊層方向的平面上，所述第二焊盤的投影與所述通孔的投影不重疊； 其中，所述第一焊盤包括第一焊盤連接部和多個朝所述第二焊盤延伸的第一焊盤延伸部，所述第二焊盤包括第二焊盤連接部和多個朝所述第一焊盤延伸的第二焊盤延伸部，在垂直于所述半導體疊層方向的平面上，所述第二開口部的投影位于所述第一焊盤延伸部的投影和所述第二焊盤延伸部的投影之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門三安光電有限公司，其通訊地址為：361100 福建省廈門市同安區洪塘鎮民安大道841-899號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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