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龍圖騰網(wǎng)獲悉復(fù)旦大學(xué)申請的專利氮化鎵功率器件的制作方法、器件以及集成電路獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115547830B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211255255.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/01；該發(fā)明授權(quán)氮化鎵功率器件的制作方法、器件以及集成電路是由王路宇;張鵬浩;徐敏;潘茂林;王強(qiáng);樊蓉;楊妍楠;謝欣靈;徐賽生;王晨;張衛(wèi)設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-10-13向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本氮化鎵功率器件的制作方法、器件以及集成電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種氮化鎵集成電路的制作方法，該方法包括：提供一襯底；在襯底上沿遠(yuǎn)離所述襯底的方向依次形成溝道層和勢壘層；在勢壘層表面沉積硬掩模；刻蝕硬掩模以在硬掩模上形成開孔；在開孔內(nèi)外延p?GaN層；在勢壘層表面分別沉積金屬材料并退火以形成源極和漏極；形成p?GaN柵極；在p?GaN柵極的頂端沉積鈍化層；形成源極金屬互連層與金屬場板；源極金屬互連層形成于源極的頂端，金屬場板形成于p?GaN柵極的頂端的鈍化層的表面；金屬場板與源極金屬互連層連接；形成漏極金屬互連層與柵極金屬互連層。本發(fā)明提供的技術(shù)方案，通過選取外延p?GaN的方法，有效避免了p?GaN層的刻蝕工藝導(dǎo)致器件損傷的問題，實現(xiàn)了提升器件輸出電流、降低動態(tài)導(dǎo)通電阻及提高功率管及柵驅(qū)動單元的可靠性的效果。

本發(fā)明授權(quán)氮化鎵功率器件的制作方法、器件以及集成電路在權(quán)利要求書中公布了：1.一種氮化鎵功率器件的制作方法，其特征在于，該方法包括： 提供一襯底；在所述襯底上沿遠(yuǎn)離所述襯底的方向依次形成溝道層和勢壘層； 在所述勢壘層表面沉積硬掩模； 刻蝕所述硬掩模以在所述硬掩模上形成開孔； 在所述開孔內(nèi)形成p-GaN層； 在所述p-GaN層的沿第一方向的兩側(cè)的所述勢壘層表面分別沉積金屬材料并退火以形成源極和漏極； 形成p-GaN柵極；所述p-GaN柵極包括所述p-GaN層以及在所述p-GaN層頂端形成的柵金屬層； 在所述p-GaN柵極的頂端沉積鈍化層； 形成源極金屬互連層與金屬場板；所述源極金屬互連層形成于所述源極的頂端，所述金屬場板形成于所述p-GaN柵極的頂端的所述鈍化層的表面；所述金屬場板與所述源極金屬互連層連接； 形成漏極金屬互連層與柵極金屬互連層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人復(fù)旦大學(xué)，其通訊地址為：200433 上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。