中國科學院微電子研究所賀曉彬獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院微電子研究所申請的專利電子束套刻方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116125764B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202211532592.2，技術領域涉及：G03F9/00；該發(fā)明授權電子束套刻方法是由賀曉彬設計研發(fā)完成，并于2022-11-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本電子束套刻方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種電子束套刻方法，所述方法包括：在待刻蝕器件上形成電子束標記；在所述電子束標記區(qū)域形成保護膜層；采用帶有保護膜層的所述電子束標記進行對準，對所述待刻蝕器件進行第一次刻蝕；采用去除保護膜層的所述電子束標記進行對準，對所述待刻蝕器件進行第二次刻蝕。本發(fā)明提供的電子束套刻方法，能夠采用單個對準標記完成兩次刻蝕，減少對準誤差，提高半導體器件制備質量。
本發(fā)明授權電子束套刻方法在權利要求書中公布了：1.一種電子束套刻方法，其特征在于，所述方法包括： 在待刻蝕器件上形成電子束標記； 在所述電子束標記區(qū)域形成保護膜層； 采用帶有保護膜層的所述電子束標記進行對準，對所述待刻蝕器件進行第一次刻蝕； 采用去除保護膜層的所述電子束標記進行對準，對所述待刻蝕器件進行第二次刻蝕。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人中國科學院微電子研究所，其通訊地址為：100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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