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龍圖騰網(wǎng)獲悉哈爾濱工業(yè)大學申請的專利一種熔融石英光學元件加工表面微區(qū)微觀光傷點缺陷相對濃度檢測方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116026836B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211505089.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01N21/88；該發(fā)明授權(quán)一種熔融石英光學元件加工表面微區(qū)微觀光傷點缺陷相對濃度檢測方法是由程健;楊丁槐;陳明君;趙林杰;劉赫男;王景賀;劉志超;王健;許喬設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-11-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種熔融石英光學元件加工表面微區(qū)微觀光傷點缺陷相對濃度檢測方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種熔融石英光學元件加工表面微區(qū)微觀光傷點缺陷相對濃度檢測方法，屬于工程光學技術(shù)領(lǐng)域。為解決現(xiàn)有技術(shù)對熔融石英元件加工表面點缺陷表征手段僅適用于表征及判別點缺陷的種類，尚無有效方法針點缺陷的相對濃度進行檢測的問題。本發(fā)明通過對熔融石英光學元件加工表面微缺陷區(qū)開展光致熒光探測實驗，得到缺陷區(qū)的點缺陷類型及不同點缺陷對應(yīng)的子峰曲線峰面積，建立點缺陷所含孤對電子濃度與子峰曲線峰面積之間的關(guān)系，計算不同點缺陷所含孤對電子的相對濃度，結(jié)合點缺陷化學結(jié)構(gòu)及反應(yīng)規(guī)律計算熔融石英加工表面微缺陷區(qū)不同點缺陷的相對濃度。本發(fā)明填補了目前尚無法獲得材料表面點缺陷相對濃度的技術(shù)空白。

本發(fā)明授權(quán)一種熔融石英光學元件加工表面微區(qū)微觀光傷點缺陷相對濃度檢測方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種熔融石英光學元件加工表面微區(qū)微觀光傷點缺陷相對濃度檢測方法，其特征在于包括如下步驟： 步驟一、定位熔融石英光學元件加工表面微缺陷區(qū)并對定位的缺陷區(qū)開展光致熒光探測實驗； 步驟二、對光致熒光探測實驗得到的熒光發(fā)射光譜進行分峰擬合得到多個子峰曲線，通過子峰曲線確定點缺陷類型； 步驟三、計算不同點缺陷對應(yīng)的子峰曲線峰面積； 步驟四、建立點缺陷所含孤對電子濃度與子峰曲線峰面積之間的關(guān)系，根據(jù)不同點缺陷對應(yīng)的子峰曲線峰面積確定不同點缺陷所含的孤對電子的相對濃度； 步驟五、根據(jù)點缺陷化學結(jié)構(gòu)及反應(yīng)規(guī)律，確定不同點缺陷所含的孤對電子數(shù)目； 步驟六、根據(jù)孤對電子的相對濃度及不同點缺陷所含的孤對電子數(shù)目，確定熔融石英加工表面微缺陷區(qū)不同點缺陷的相對濃度。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人哈爾濱工業(yè)大學，其通訊地址為：150001 黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)西大直街92號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。