買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標(biāo)用IPTOP,全免費(fèi)！專利年費(fèi)監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉湖南大學(xué)申請(qǐng)的專利一種二氧化鉬非層狀二維材料及其制備和在磁性器件中的應(yīng)用獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN116288248B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-19發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202310061522.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/40；該發(fā)明授權(quán)一種二氧化鉬非層狀二維材料及其制備和在磁性器件中的應(yīng)用是由段曦東;張紅梅設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2023-01-18向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種二氧化鉬非層狀二維材料及其制備和在磁性器件中的應(yīng)用在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明屬于二維磁性材料領(lǐng)域，具體涉及一種MoO2非層狀二維材料的制備方法，將MoO3粉末加熱揮發(fā)，并和含氫載氣中的氫氣在基底表面化學(xué)沉積，形成MoO2非層狀二維材料；所述的MoO3粉末的揮發(fā)溫度大于或等于700℃；所述的基底的表面為二氧化硅或者TMDs；所述的化學(xué)沉積的溫度為540～590℃。本發(fā)明還包括所述的制備方法制備的材料及其磁學(xué)方面的應(yīng)用。本發(fā)明所述的制備方法能夠成功制備MoO2非層狀二維材料，且所述的制備方法制備的材料能意外地表現(xiàn)出線性磁阻行為，具有更優(yōu)的磁學(xué)性能。

本發(fā)明授權(quán)一種二氧化鉬非層狀二維材料及其制備和在磁性器件中的應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MoO2非層狀二維材料的制備方法，其特征在于：將MoO3粉末加熱揮發(fā)，并和含氫載氣中的氫氣在基底表面化學(xué)沉積，形成MoO2非層狀二維材料； 所述的MoO3粉末的揮發(fā)溫度大于或等于700℃； 所述的基底的表面為二氧化硅或者TMDs； 所述的化學(xué)沉積的溫度為540~590℃； 實(shí)施所述制備方法的沉積裝置包括密封的石英管，所述的石英管的一端設(shè)置用于向石英管腔室中輸入含氫載氣的入口，另一端設(shè)置有用于輸出石英管腔室氣體的出口；根據(jù)含氫載氣氣流方向，將所述的石英管的腔室分為上游高溫恒溫區(qū)和下游低溫變溫區(qū)；高溫恒溫區(qū)設(shè)置有加熱裝置，裝有MoO3粉末的瓷舟放置在上游高溫恒溫區(qū)，將載有基底的瓷舟放置在下游低溫變溫區(qū)； 制備過(guò)程中，將MoO3粉末加熱至揮發(fā)溫度，使揮發(fā)的MoO3原料，并在含氫載氣的作用下，與其中的氫氣在基底的表面化學(xué)沉積，在基底上生長(zhǎng)得到MoO2非層狀二維材料。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人湖南大學(xué)，其通訊地址為：410082 湖南省長(zhǎng)沙市岳麓區(qū)麓山南路麓山門；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。