買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉南京理工大學申請的專利一種功率半導體器件芯片有源區溫度分布模擬測試方法及系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120275797B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510768413.2，技術領域涉及：G01R31/265；該發明授權一種功率半導體器件芯片有源區溫度分布模擬測試方法及系統是由馮延暉;施耀華;邱穎寧設計研發完成，并于2025-06-10向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種功率半導體器件芯片有源區溫度分布模擬測試方法及系統在說明書摘要公布了：本發明公開了一種功率半導體器件芯片有源區溫度分布模擬測試方法及系統，根據功率半導體器件芯片有源區元胞信息，設計金屬圖案掩膜版；選擇完成半導體多層結構生長且表面半導體層未被摻雜的半導體晶片，沉積金屬圖案；基于共焦拉曼光譜儀和熱臺，標定芯片樣品表面半導體層的拉曼特征溫度曲線；將芯片樣品底面與器件封裝散熱結構連接，將芯片樣品表面的金屬圖案接入直流電源回路；調節直流電源輸出，模擬芯片樣品有源區熱源產熱并達到目標產熱功率；依據標定的拉曼特征溫度曲線，測量芯片樣品有源區的溫度分布。本發明能夠在功率半導體器件設計制造過程中實現芯片有源區結溫及溫度分布的模擬測試，實驗評估功率半導體器件熱設計的實際性能。

本發明授權一種功率半導體器件芯片有源區溫度分布模擬測試方法及系統在權利要求書中公布了：1.一種功率半導體器件芯片有源區溫度分布模擬測試方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1、收集功率半導體器件芯片有源區尺寸，元胞圖形尺寸及布局和元胞單元的柵極尺寸信息，對應設計金屬圖案掩膜版； 步驟2、選擇完成半導體多層結構生長且表面半導體層未被摻雜的半導體晶片，在半導體晶片表面沉積金屬圖案掩膜版對應的金屬圖案； 步驟3、從沉積金屬圖案的半導體晶片上切割出一個芯片樣品，利用共焦拉曼光譜儀和熱臺對芯片樣品的表面半導體層進行拉曼特征溫度曲線fT標定； 步驟4、將芯片樣品底面與器件封裝散熱結構連接，并將芯片樣品表面的金屬圖案接入直流電源回路； 步驟5、將接入直流電源回路的芯片樣品及器件封裝散熱結構安裝在共焦拉曼光譜儀的載物臺上，調節直流電源輸出，模擬芯片樣品有源區熱源產熱并達到目標產熱功率P； 步驟6、在目標產熱功率P下測量芯片樣品表面半導體層不同位置的拉曼光譜信號，依據標定的拉曼特征溫度曲線fT計算芯片樣品有源區的溫度分布，評估功率半導體器件的熱設計性能。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京理工大學，其通訊地址為：210094 江蘇省南京市玄武區孝陵衛200號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。