合肥晶合集成電路股份有限公司劉蘇濤獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利一種制作半導體結構的方法及裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120319663B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510786926.6，技術領域涉及：H01L21/3213；該發明授權一種制作半導體結構的方法及裝置是由劉蘇濤;林士閔設計研發完成，并于2025-06-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種制作半導體結構的方法及裝置在說明書摘要公布了：本發明公開了一種制作半導體結構的方法及裝置，屬于半導體制作領域。所述制作方法至少包括：提供一襯底，所述襯底上包含至少一個硅導電區域；在所述襯底上形成金屬層；通過第一次退火，所述金屬層和所述襯底上的所述硅導電區域反應形成第一金屬硅化物；將所述襯底放入刻蝕反應槽內，去除未反應的所述金屬層，在去除所述金屬層時，所述刻蝕反應槽內的刻蝕液依次經過溶解槽和吸附槽，返回所述刻蝕反應槽；取出所述襯底，對所述第一金屬硅化物進行第二次退火，形成第二金屬硅化物。通過本發明提供的一種制作半導體結構的方法及裝置，能夠加快制作速度，可提高半導體結構的性能。
本發明授權一種制作半導體結構的方法及裝置在權利要求書中公布了：1.一種制作半導體結構的方法，其特征在于，至少包括： 提供一襯底，所述襯底上包含至少一個硅導電區域； 在所述襯底上形成金屬層； 通過第一次退火，所述金屬層和所述襯底上的所述硅導電區域反應形成第一金屬硅化物； 將所述襯底放入刻蝕反應槽內，去除未反應的所述金屬層，在去除所述金屬層時，所述刻蝕反應槽內的刻蝕液依次經過溶解槽和吸附槽，返回所述刻蝕反應槽；所述刻蝕反應槽的輸出端設置有第一檢測單元，所述第一檢測單元實時對所述刻蝕液內的金屬顆粒的數量進行監測，監測并記錄單位時間內所述金屬顆粒的最大數量為Xm個，當所述第一檢測單元檢測所述刻蝕液內的所述金屬顆粒的數量小于1%Xm個秒時，停止刻蝕；在所述溶解槽的輸出端和輸入端之間設置回路，在所述回路上設置第二檢測單元，用來檢測經過所述溶解槽后的刻蝕液內的雜質數量； 取出所述襯底，對所述第一金屬硅化物進行第二次退火，形成第二金屬硅化物。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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