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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳市美思先端電子有限公司申請的專利基于3D層疊結(jié)構設計的熱電堆器件制作方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN120379507B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-09-16發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202510874000.2，技術領域涉及：H10N10/01；該發(fā)明授權基于3D層疊結(jié)構設計的熱電堆器件制作方法是由宏宇;武斌設計研發(fā)完成，并于2025-06-27向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本基于3D層疊結(jié)構設計的熱電堆器件制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于3D層疊結(jié)構設計的熱電堆器件制作方法，方法包括在預置硅襯底的上表面采用互補型金屬氧化物半導體工藝進行金屬連接加工以形成互聯(lián)金屬以及鈍化層，互聯(lián)金屬連接各預置熱電堆；在熱電堆懸浮膜的預定區(qū)域下方沉積一層氧化硅作為犧牲層；分別對互聯(lián)金屬上方的鈍化層及犧牲層進行刻蝕以形成開孔，互聯(lián)金屬通過開孔暴露；對犧牲層進行選擇性刻蝕，以使熱電堆支撐膜及其上的多晶硅熱電堆結(jié)構從硅基底上釋放形成器件內(nèi)熱隔離。本方法實現(xiàn)了熱電堆單元與專用集成電路的高密度集成，提升熱電堆芯片的集成度，降低芯片尺寸，同等尺寸下可容納更多電路功能，也可增加熱電堆單元尺寸，提高信號強度。

本發(fā)明授權基于3D層疊結(jié)構設計的熱電堆器件制作方法在權利要求書中公布了：1.一種基于3D層疊結(jié)構設計的熱電堆器件制作方法，其特征在于，所述方法包括： 在硅襯底上使用互補型金屬氧化物半導體工藝制作專用集成電路，所述專用集成電路內(nèi)包括鈍化層，并在所述專用集成電路內(nèi)的頂層金屬區(qū)域預留互聯(lián)金屬區(qū)域，所述互聯(lián)金屬連接預置的各熱電堆，確定熱電堆懸浮膜的預定區(qū)域； 在熱電堆懸浮膜的預定區(qū)域下方沉積一層氧化硅作為犧牲層； 分別對所述互聯(lián)金屬上方的鈍化層及犧牲層進行刻蝕以形成開孔，所述互聯(lián)金屬通過所述開孔暴露； 在所述犧牲層的上方進行氮化硅沉積形成氮化硅層以填充開孔，所述氮化硅層覆蓋所述犧牲層； 在所述熱電堆的上方進行氧化硅、氮化硅以及氧化鋁材料沉積以形成熱電堆支撐膜，所述支撐膜設計為多層結(jié)構，所述熱電堆支撐膜中的氧化硅材料與所述犧牲層中的氧化硅材料不相接觸； 對所述熱電堆進行多晶硅沉積并對所形成的第一層多晶硅進行選擇性摻雜并刻蝕，形成所述熱電堆的第一多晶硅熱電偶層； 在所述第一多晶硅熱電偶層上方進行氮化硅沉積以形成介電層； 對所述熱電堆進行多晶硅沉積并對所形成的第二層多晶硅進行選擇性摻雜并刻蝕，形成所述熱電堆的第二多晶硅熱電偶層； 在所述第二多晶硅熱電偶層上方進行氮化硅材料沉積以形成絕緣層，并對所述鈍化層、所述犧牲層、所述熱電堆支撐膜以及所述絕緣層進行開孔； 沉積一層金屬層，所述第一多晶硅熱電偶層與第二多晶硅熱電偶層互聯(lián)形成熱電偶，所述熱電偶與所述專用集成電路通過所述金屬層進行互聯(lián)； 在所述金屬層上方進行鈍化層沉積； 對所述犧牲層進行選擇性刻蝕，以使所述熱電堆支撐膜及其上的多晶硅熱電堆結(jié)構從硅基底上釋放形成3D懸浮結(jié)構以完成熱電堆器件內(nèi)熱隔離。

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