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龍圖騰網獲悉安徽大學;合肥中科君達視界技術股份有限公司申請的專利基于SRAM的浮點型指數比較電路及其芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120447865B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510940272.8，技術領域涉及：G06F7/485；該發明授權基于SRAM的浮點型指數比較電路及其芯片是由彭春雨;劉浩;李志豪;盧文娟;胡薇;趙強;高珊;吳秀龍設計研發完成，并于2025-07-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于SRAM的浮點型指數比較電路及其芯片在說明書摘要公布了：本申請涉及一種基于SRAM的浮點型指數比較電路及其芯片，其中，該浮點型指數比較電路包括陣列分布的若干指數運算單元，每個指數運算單元包括進位傳播全加器和15T?SRAM存儲單元。與相關技術相比，通過在傳統存儲陣列中添加輔助晶體管集成比較、加法功能，實現存內指數比較找最大值、減法求移位量，相較于傳統指數計算方法減少了數據遷移功耗；同時在指數讀出階段實現對異常指數值感知，并根據感知結果動態跳過冗余移位量計算流程，優化能量消耗；相較于現有部分指數比較電路采用單bit串行比較，所提出的指數比較電路實現高速并行最大值比較，減法求移位量操作，為浮點數指數處理提供低功耗與高效并行的解決方案，即解決了目前的浮點型指數比較電路存在計算效率低的問題。

本發明授權基于SRAM的浮點型指數比較電路及其芯片在權利要求書中公布了：1.一種基于SRAM的浮點型指數比較電路，其特征在于，包括陣列分布的若干指數運算單元，每個指數運算單元包括進位傳播全加器和15T-SRAM存儲單元； 同行的15T-SRAM存儲單元對應有同一組信號線ALL_0、ALL_1和ENB_SPARE且同組的ALL_0、ALL_1分別接同一個或非門的兩個輸入端，同列的15T-SRAM存儲單元對應有同一組信號線MAXB和ENB_COMPARE，MAXB通過反相器接信號線MAX； 15T-SRAM存儲單元包括6T-SRAM存儲單元和NMOS管N5至N11以及PMOS管P3和P4，6T-SRAM存儲單元具有存儲節點Q和QB；N5的柵極、源極和漏極分別接Q、對應行的ENB_SPARE和ALL_0；N6的柵極、源極和漏極分別接QB、對應行的ENB_SPARE和ALL_1，N7的柵極、源極和漏極分別接Q、地線和N8的漏極，N8的柵極和源極分別接P3的漏極和對應列的MAXB；N9的柵極、源極和漏極分別接對應列的MAX、QB和N10的漏極；N10的柵極和源極分別接對應列的MAXB和Q；N11的柵極、源極和漏極分別接N10的漏極、地線和P4的漏極；P3的柵極和源極分別接對應列的ENB_COMPARE和P4的源極，P4的柵極接N11的柵極； 進位傳播全加器的輸入端口A和B以及供電端VDD分別接對應的QB、對應列的MAX和對應行的或非門的輸出端； 在同行中，上一級15T-SRAM存儲單元中P4的漏極連接下一級15T-SRAM存儲單元中N8的柵極，上一級進位傳播全加器的進位輸出端Cout連接后一級進位傳播全加器的進位輸入端Cin。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人安徽大學;合肥中科君達視界技術股份有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經開區九龍路111號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。