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龍圖騰網(wǎng)獲悉遼寧隆燁科技有限公司申請(qǐng)的專利電子控制模塊元件性能數(shù)據(jù)的異常檢測(cè)方法和系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120522496B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-16發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202511021574.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G01R31/00；該發(fā)明授權(quán)電子控制模塊元件性能數(shù)據(jù)的異常檢測(cè)方法和系統(tǒng)是由王亮;井慶文;張星;張賡健;段佳東;劉宇;張峰設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-07-24向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本電子控制模塊元件性能數(shù)據(jù)的異常檢測(cè)方法和系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)?zhí)峁╇娮涌刂颇K元件性能數(shù)據(jù)的異常檢測(cè)方法和系統(tǒng)。其中，該方法通過非接觸電極向電子控制模塊元件施加交變電場(chǎng)，采集介電響應(yīng)的能量損耗、電容變化及極化延遲數(shù)據(jù)，從中提取離子遷移、分子轉(zhuǎn)向和雜質(zhì)導(dǎo)電特征；基于加速老化實(shí)驗(yàn)構(gòu)建多頻段老化特征庫，包括低頻延遲、中頻轉(zhuǎn)折和高頻損耗變化率特征；當(dāng)檢測(cè)到低頻響應(yīng)變慢、中頻特征左移且高頻損耗驟增時(shí)，判定元件發(fā)生電化學(xué)老化，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)診斷。本申請(qǐng)通過多頻段介電響應(yīng)特征協(xié)同分析，顯著提升電子控制模塊元件電化學(xué)老化異常的檢測(cè)精度與可靠性。

本發(fā)明授權(quán)電子控制模塊元件性能數(shù)據(jù)的異常檢測(cè)方法和系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.電子控制模塊元件性能數(shù)據(jù)的異常檢測(cè)方法，其特征在于，包括： 采用特定排列的非接觸電極組向待測(cè)電子控制模塊元件的介質(zhì)施加連續(xù)變化電場(chǎng)，同步采集包含能量損耗實(shí)部數(shù)據(jù)、能量損耗虛部數(shù)據(jù)、電容頻率變化數(shù)據(jù)及極化延遲角度信息的多參數(shù)原位介電響應(yīng)數(shù)據(jù)集，其中，所述非接觸電極組配置為多環(huán)同心結(jié)構(gòu)，以確保電場(chǎng)均勻覆蓋介質(zhì)表面； 基于所述多參數(shù)原位介電響應(yīng)數(shù)據(jù)集中介質(zhì)介電特性的頻率響應(yīng)規(guī)律，結(jié)合空間電荷延遲效應(yīng)解耦提取電極界面離子遷移特征分量、介質(zhì)本體分子轉(zhuǎn)向特征分量以及雜質(zhì)離子導(dǎo)電特征分量； 依據(jù)所述電子控制模塊元件在加速老化實(shí)驗(yàn)中電極界面離子遷移特征分量、介質(zhì)本體分子轉(zhuǎn)向特征分量以及雜質(zhì)離子導(dǎo)電特征分量的時(shí)間響應(yīng)差異，構(gòu)建包含低頻段時(shí)域延遲特征組、中頻段頻域轉(zhuǎn)折特征集、高頻段損耗變化強(qiáng)度率特征的多頻段關(guān)聯(lián)老化特征庫； 分析采集的電子控制模塊元件性能數(shù)據(jù)在所述多頻段關(guān)聯(lián)老化特征庫中的多頻段軌跡偏移關(guān)聯(lián)模式，當(dāng)?shù)皖l時(shí)域延遲特征組呈現(xiàn)響應(yīng)時(shí)間延長、中頻頻域轉(zhuǎn)折特征集發(fā)生特征位置向低頻方向偏移且高頻損耗變化強(qiáng)度率特征出現(xiàn)數(shù)值陡增三種現(xiàn)象協(xié)同出現(xiàn)時(shí)，判定電子控制模塊元件發(fā)生電化學(xué)老化異常； 基于所述多參數(shù)原位介電響應(yīng)數(shù)據(jù)集中介質(zhì)介電特性的頻率響應(yīng)規(guī)律，結(jié)合空間電荷延遲效應(yīng)解耦提取電極界面離子遷移特征分量、介質(zhì)本體分子轉(zhuǎn)向特征分量以及雜質(zhì)離子導(dǎo)電特征分量，包括： 從所述多參數(shù)原位介電響應(yīng)數(shù)據(jù)集提取頻率響應(yīng)曲線，所述頻率響應(yīng)曲線以頻率為橫軸，并分別繪制能量損耗實(shí)部數(shù)據(jù)、能量損耗虛部數(shù)據(jù)、電容頻率變化數(shù)據(jù)及極化延遲角度信息作為縱軸，在所述頻率響應(yīng)曲線中識(shí)別低頻段、中頻段和高頻段的特征點(diǎn)，其中低頻段對(duì)應(yīng)第一頻率范圍，中頻段對(duì)應(yīng)第二頻率范圍，高頻段對(duì)應(yīng)第三頻率范圍，且各頻段范圍基于介質(zhì)材料屬性預(yù)設(shè)； 針對(duì)所述低頻段，通過分析極化延遲角度信息隨頻率的變化趨勢(shì)，結(jié)合空間電荷延遲效應(yīng)引起的響應(yīng)滯后現(xiàn)象，分離出以延遲時(shí)間為主要指標(biāo)的電極界面離子遷移特征分量； 針對(duì)所述中頻段，通過擬合電容頻率變化數(shù)據(jù)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)位置，結(jié)合空間電荷延遲效應(yīng)引起的相位偏移，分離出以角度變化率為主要指標(biāo)的介質(zhì)本體分子轉(zhuǎn)向特征分量； 針對(duì)所述高頻段，通過計(jì)算能量損耗實(shí)部數(shù)據(jù)與能量損耗虛部數(shù)據(jù)的比值變化，結(jié)合空間電荷延遲效應(yīng)引起的衰減特性，分離出以強(qiáng)度變化量為主要指標(biāo)的雜質(zhì)離子導(dǎo)電特征分量。

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