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龍圖騰網(wǎng)獲悉世界先進(jìn)積體電路股份有限公司申請的專利高壓半導(dǎo)體裝置獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113782604B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202010525855.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/65；該發(fā)明授權(quán)高壓半導(dǎo)體裝置是由譚鴻志;劉興潮;楊曉瑩;廖志成設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-06-10向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本高壓半導(dǎo)體裝置在說明書摘要公布了：一種高壓半導(dǎo)體裝置，包含基底、埋層、汲極區(qū)域、源極區(qū)域、閘極以及至少一濃度調(diào)變區(qū)。該基底具有第一導(dǎo)電類型，該埋層設(shè)置于該基底內(nèi)并具有第二導(dǎo)電類型。該汲極區(qū)域與源極區(qū)域設(shè)置于該基底內(nèi)并位于該埋層上方，而該閘極則設(shè)置在該基底上，位于該源極區(qū)域與該汲極區(qū)域之間。該至少一濃度調(diào)變區(qū)設(shè)置在局部的埋層內(nèi)，并位于該汲極區(qū)域下方，其中，該至少一濃度調(diào)變區(qū)具有該第二導(dǎo)電類型，且該至少一濃度調(diào)變區(qū)的摻雜濃度小于該埋層的摻雜濃度。

本發(fā)明授權(quán)高壓半導(dǎo)體裝置在權(quán)利要求書中公布了：1.一種高壓半導(dǎo)體裝置，包含： 一基底，具有一第一導(dǎo)電類型； 一埋層，設(shè)置于所述基底內(nèi)，所述埋層具有一第二導(dǎo)電類型，且所述第二導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型互補(bǔ)； 一汲極區(qū)域，設(shè)置于所述基底內(nèi)并位于所述埋層上方，所述汲極區(qū)域具有所述第一導(dǎo)電類型； 一源極區(qū)域，設(shè)置于所述基底內(nèi)并位于所述埋層上方，所述源極區(qū)域具有所述第一導(dǎo)電類型； 一閘極，設(shè)置在所述基底上，位于所述源極區(qū)域與所述汲極區(qū)域之間；以及 至少一濃度調(diào)變區(qū)，設(shè)置在局部的所述埋層內(nèi)，所述至少一濃度調(diào)變區(qū)位于所述汲極區(qū)域的下方并具有所述第二導(dǎo)電類型，且所述至少一濃度調(diào)變區(qū)的摻雜濃度小于所述埋層的摻雜濃度， 其中，所述至少一濃度調(diào)變區(qū)為復(fù)數(shù)個(gè)，復(fù)數(shù)個(gè)濃度調(diào)變區(qū)包含沿著一第一方向延伸的第一濃度調(diào)變區(qū)，以及沿著一第二方向延伸的第二濃度調(diào)變區(qū)，所述第二濃度調(diào)變區(qū)橫跨所述第一濃度調(diào)變區(qū)，且所述第一方向不同于所述第二方向。

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