湖南大學段曦東獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉湖南大學申請的專利一種二維材料橫向馬賽克異質結陣列及其制備和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113990738B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111233908.3，技術領域涉及：H01L21/02；該發明授權一種二維材料橫向馬賽克異質結陣列及其制備和應用是由段曦東;張正偉;黃子為;李佳設計研發完成，并于2021-10-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種二維材料橫向馬賽克異質結陣列及其制備和應用在說明書摘要公布了：本發明屬于二維材料異質結陣列制備領域，具體公開了二維材料橫向馬賽克異質結陣列的制備方法，獲得材料A的單晶納米片；依次對材料A的單晶納米片進行激光刻蝕可控熱刻蝕，隨后再生長材料B，形成由二維材料A和二維材料B構成的邊界清晰的馬賽克異質結陣列。本發明還提供了所述的制備方法制得的二維材料橫向馬賽克異質結陣列及其在制備光電學器件中的應用。本發明制備的相關異質結陣列具有原子層級光滑，異質結界線陡峭且平整，幾乎沒有摻雜，材料光學、電學性能優異；該方法為大規模功能化二維材料器件集成提供了一個全新的材料平臺，標志著為基礎研究和發展復雜器件和二維異質結構集成電路奠定堅實的材料基礎邁出了關鍵的一步。
本發明授權一種二維材料橫向馬賽克異質結陣列及其制備和應用在權利要求書中公布了：1.一種二維材料橫向馬賽克異質結陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟a：獲得材料A的單晶納米片； 步驟b：對材料A的單晶納米片進行激光刻蝕，得到陣列化點缺陷的材料A納米片；所述的材料A為過渡金屬的硫化物或硒化物；所述的過渡金屬為W、Mo中的至少一種； 步驟c：在步驟b的陣列化點缺陷的材料A納米片表面覆蓋基底材料，隨后再在1000~1200℃的溫度下熱刻蝕10~60s；將陣列化點缺陷的材料A納米片熱刻蝕成具有孔洞結構的材料A納米片；熱刻蝕的氣氛為保護氣； 步驟d：在步驟（c）制得的材料A納米片的孔洞區域外延生長材料B異質結，得到A-B橫向馬賽克異質結陣列； 所述的材料B為過渡金屬的硫化物或硒化物；所述的過渡金屬為W、Mo中的至少一種；且A≠B。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖南大學，其通訊地址為：410082 湖南省長沙市岳麓區麓山南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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