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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州辰睿光電有限公司申請(qǐng)的專(zhuān)利一種晶圓的平坦化方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114141619B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202111266921.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/304；該發(fā)明授權(quán)一種晶圓的平坦化方法是由李騏亙?cè)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-28向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種晶圓的平坦化方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)一種晶圓的平坦化方法，包括：S1：在晶圓的表面形成多個(gè)脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)；S2：在晶圓的表面形成一介電層，使得在脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)處形成突出于介電層表面的突出部；S3：采用第一研磨方法對(duì)介電層進(jìn)行研磨，以去除突出部；S4：采用第二研磨方法對(duì)介電層進(jìn)行研磨，以暴露脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的頂端，從而完成針對(duì)脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的平坦化操作。本發(fā)明的有益效果在于：采用研磨方法對(duì)晶圓表面進(jìn)行平坦化處理，使得介電層的寄生電容減小，進(jìn)而使得器件能夠應(yīng)用于高速調(diào)變的場(chǎng)合。研磨方法適用范圍廣，應(yīng)力較小的介電層均可適用。同時(shí)，本技術(shù)方案的晶圓表面平坦化工藝，可以使得研磨設(shè)備自動(dòng)實(shí)現(xiàn)研磨速率的降低，在實(shí)現(xiàn)較高的加工精度的前提下，降低了對(duì)加工設(shè)備的需求。

本發(fā)明授權(quán)一種晶圓的平坦化方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種晶圓的平坦化方法，其特征在于，包括： 步驟S1：在晶圓的表面形成多個(gè)脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)； 步驟S2：在所述晶圓的表面形成一介電層，使得在所述脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)處形成突出于所述介電層表面的突出部； 步驟S3：采用第一研磨方法對(duì)所述介電層進(jìn)行研磨，以去除所述突出部； 步驟S4：采用第二研磨方法對(duì)所述介電層進(jìn)行研磨，以暴露所述脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的頂端，從而完成針對(duì)所述脊?fàn)罱Y(jié)構(gòu)的平坦化操作； 所述步驟S4中，機(jī)械研磨設(shè)備維持原有的輸出功率，以使得在所述介電層被研磨至特定高度時(shí)趨近于自我停止。

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