三菱電機株式會社野口智明獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉三菱電機株式會社申請的專利碳化硅半導體裝置、電力變換裝置及碳化硅半導體裝置的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114496935B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111305821.2，技術領域涉及：H01L23/00；該發明授權碳化硅半導體裝置、電力變換裝置及碳化硅半導體裝置的制造方法是由野口智明;中西洋介設計研發完成，并于2021-11-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本碳化硅半導體裝置、電力變換裝置及碳化硅半導體裝置的制造方法在說明書摘要公布了：本發明的目的在于，在碳化硅半導體裝置中，對閾值電壓的變動進行抑制，對阻擋金屬處的裂縫的產生進行抑制。碳化硅半導體裝置101具有：碳化硅基板11；半導體層12，其形成于碳化硅基板11之上；柵極電極18，其隔著柵極絕緣膜26與半導體層12相對；層間絕緣膜19，其將柵極電極18覆蓋；阻擋金屬，其形成于層間絕緣膜19之上；以及上表面電極，其將阻擋金屬覆蓋，阻擋金屬是由阻擋金屬21和阻擋金屬22構成的兩層構造，層間絕緣膜19側的阻擋金屬21由與阻擋金屬22相同的金屬構成，與阻擋金屬22相比厚度小。
本發明授權碳化硅半導體裝置、電力變換裝置及碳化硅半導體裝置的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅半導體裝置，其具有： 碳化硅基板； 半導體層，其形成于所述碳化硅基板之上； 柵極電極，其隔著柵極絕緣膜與所述半導體層相對； 層間絕緣膜，其將所述柵極電極覆蓋； 接觸孔，其形成于所述層間絕緣膜，使所述半導體層露出； 阻擋金屬，其形成于所述接觸孔內以及所述層間絕緣膜之上；以及 上表面電極，其將所述阻擋金屬覆蓋， 所述阻擋金屬是由第1阻擋金屬和第2阻擋金屬構成的兩層構造， 所述層間絕緣膜側的所述阻擋金屬即所述第1阻擋金屬由與所述第2阻擋金屬相同的金屬構成，與所述第2阻擋金屬相比厚度小， 在所述層間絕緣膜與所述上表面電極之間存在沒有形成所述第2阻擋金屬但形成有所述第1阻擋金屬的部分， 在所述接觸孔處的所述半導體層與所述上表面電極之間存在沒有形成所述第2阻擋金屬但形成有所述第1阻擋金屬的部分。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三菱電機株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號