格芯新加坡私人有限公司W·C·勞獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉格芯新加坡私人有限公司申請的專利自旋二極管器件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114695652B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111412954.X，技術領域涉及：H10N50/10；該發明授權自旋二極管器件是由W·C·勞;G·D·H·翁;山根一陽;C·S·希特;W·S·劉設計研發完成，并于2021-11-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本自旋二極管器件在說明書摘要公布了：本公開涉及一種自旋二極管器件。根據各種實施例，一種自旋二極管器件可以包括磁隧道結堆疊。磁隧道結堆疊可以包括下磁性層、位于下磁性層上方的隧道勢壘層、以及位于隧道勢壘層上方的上磁性層。下磁性層可以包括下磁性膜。隧道勢壘層包括絕緣材料。上磁性層可以包括上磁性膜。下磁性膜和上磁性膜中的每一者可以具有垂直磁各向異性。
本發明授權自旋二極管器件在權利要求書中公布了：1.一種微波檢測器件，包括： 自旋二極管器件，其被配置為檢測以第一目標振蕩頻率和第二目標振蕩頻率中的一者振蕩的微波信號，所述自旋二極管器件包括： 磁隧道結堆疊，其設置在所述自旋二極管器件的下電極與上電極之間，所述磁隧道結堆疊包括： 包括下磁性膜的下磁性層； 位于所述下磁性層上方的隧道勢壘層，所述隧道勢壘層包括絕緣材料；以及 位于所述隧道勢壘層上方的上磁性層，所述上磁性層包括上磁性膜； 其中所述下磁性膜和所述上磁性膜中的每一者具有垂直磁各向異性， 其中所述下磁性膜包括與第一固有鐵磁共振頻率對應的第一垂直磁各向異性強度，所述第一固有鐵磁共振頻率與所述第一目標振蕩頻率對應， 其中所述上磁性膜包括與第二固有鐵磁共振頻率對應的第二垂直磁各向異性強度，所述第二固有鐵磁共振頻率與所述第二目標振蕩頻率對應， 其中所述第二垂直磁各向異性強度不同于所述第一垂直磁各向異性強度， 其中所述第二固有鐵磁共振頻率不同于所述第一固有鐵磁共振頻率。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人格芯新加坡私人有限公司，其通訊地址為：新加坡新加坡市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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