國際商業機器公司J·J·諾瓦克獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉國際商業機器公司申請的專利每一層具有非均勻厚度的三維漏斗狀自旋轉移矩MRAM基元獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114649471B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111432197.2，技術領域涉及：H10N50/20；該發明授權每一層具有非均勻厚度的三維漏斗狀自旋轉移矩MRAM基元是由J·J·諾瓦克設計研發完成，并于2021-11-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本每一層具有非均勻厚度的三維漏斗狀自旋轉移矩MRAM基元在說明書摘要公布了：本公開涉及一種每一層具有非均勻厚度的三維漏斗狀自旋轉移矩MRAM基元。一種用于提供具有雙磁隧道結的漏斗狀自旋轉移矩STT磁阻式隨機存取存儲器MRAM器件的方法。該方法包括在到半導體器件的連接上提供金屬柱。該方法包括在金屬柱上且在與金屬柱鄰近的第一層間電介質的部分上提供第一參考層。該方法包括在第一參考層上提供第一隧道勢壘和在第一隧道勢壘層上提供自由層。該方法包括提供具有漏斗狀自旋轉移矩MRAM器件的半導體結構中的在自由層上的第二隧道勢壘和在第二隧道勢壘上的第二參考層。
本發明授權每一層具有非均勻厚度的三維漏斗狀自旋轉移矩MRAM基元在權利要求書中公布了：1.一種具有雙磁隧道結的漏斗狀自旋轉移矩STT磁阻式隨機存取存儲器MRAM器件的半導體結構，所述半導體結構包括： 在到半導體器件的連接上的金屬柱； 第一參考層，其在所述金屬柱上且在鄰近所述金屬柱的第一層間電介質的部分上； 在所述第一參考層上的第一隧道勢壘； 在所述第一隧道勢壘層上的自由層； 在所述自由層上的第二隧道勢壘；以及 在所述第二隧道勢壘上的第二參考層， 其中，在所述金屬柱的側壁上的所述第二參考層、所述自由層和所述第一參考層的第一部分厚于在半導體晶片表面上方的水平表面上且在所述金屬柱的平坦頂部上方的水平表面上的所述第二參考層、所述自由層和所述第一參考層的第二部分。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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