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龍圖騰網獲悉力來托半導體(上海)有限公司申請的專利具有增強的高頻性能的金屬氧化物半導體場效應晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114361250B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111547635.X，技術領域涉及：H10D64/27；該發明授權具有增強的高頻性能的金屬氧化物半導體場效應晶體管是由許曙明;吳健;陳勁甫設計研發完成，并于2021-12-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本具有增強的高頻性能的金屬氧化物半導體場效應晶體管在說明書摘要公布了：本發明提供一種具有增強的高頻性能的金屬氧化物半導體場效應晶體管，包括用作漏極區域的半導體襯底和設置在襯底上表面上的外延區域。所述MOSFET器件包括在外延區中形成的多個體區域和多個源極區域。所述體區域設置在外延區域的上表面附近并且彼此橫向間隔，并且每個源極區域設置在對應的體區域中靠近所述體區域的上表面。MOSFET器件包括具有多個平面柵和一溝槽柵的柵極結構。每個平面柵設置在外延區域的上表面上并與相應體區域重疊。所述溝槽柵形成為部分地通過所述外延區域并且在所述體區域之間，所述溝槽柵的上表面凹陷在所述外延區域的上表面之下。

本發明授權具有增強的高頻性能的金屬氧化物半導體場效應晶體管在權利要求書中公布了：1.一種金屬氧化物半導體場效應晶體管器件，其特征在于，包括： -具有第一導電類型的半導體襯底，所述襯底用作所述金屬氧化物半導體場效應晶體管的漏極區域； -具有第一導電類型的外延區域，其設置于所述襯底的上表面； 多個具有第二導電類型的體區域，其形成于所述外延區域中，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反，所述體區域設置于靠近所述外延區域的上表面且在橫向上相互隔開； 多個具有第一導電類型的源極區域，每個所述源極區域設置于對應的體區域中并靠近所述體區域的上表面；以及 -柵極結構，包括：一個或多個平面柵和一溝槽柵， 每個所述的平面柵位于所述外延區域的上表面并與相應的體區域的至少一部分重疊； 所述溝槽柵形成于至少部分的所述外延區域中和所述體區域之間；所述溝槽柵的一上表面設置為凹陷于所述外延區域的所述上表面，且所述溝槽柵的正上方未設置平面柵，其中，所述溝槽柵上設置凹陷，使得其與所述平面柵的交疊面積變小，距離被拐彎拉大，耦合電容被縮小; 其中所述溝槽柵包括： 導體或半導體結構；和 介電層，其至少圍繞所述導體或半導體結構的側墻、底部和頂部，所述介電層將所述導體或半導體結構與所述外延區域電隔離。

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