深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司戴晨獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司申請的專利陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114361182B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111554193.1，技術領域涉及：H10D86/60；該發明授權陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法是由戴晨設計研發完成，并于2021-12-17向國家知識產權局提交的專利申請。
本陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法在說明書摘要公布了：本申請實施例公開了一種陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法。陣列基板包括襯底基板和薄膜晶體管層，薄膜晶體管層設置在襯底基板上；薄膜晶體管層包括第一薄膜晶體管，第一薄膜晶體管包括層疊設置在襯底基板上的第一有源層、第一柵極絕緣層和第一源漏極層，第一柵極絕緣層位于第一有源層和第一源漏極層之間，第一源漏極層包括與第一有源層電連接的第一源極和第一漏極；第一薄膜晶體管還包括第一柵極，第一柵極位于第一柵極絕緣層上，第一柵極與第一源漏極層同層設置。通過將第一柵極與第一源漏極層同層設置，使得第一柵極、第一源極和第一漏極能夠采用同一道光罩制成，簡化陣列基板的制程工序，提高陣列基板的生產效率，降低生產成本。
本發明授權陣列基板、顯示面板及陣列基板的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括： 襯底基板； 薄膜晶體管層，設置在所述襯底基板上；所述薄膜晶體管層包括第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包括層疊設置在所述襯底基板上的第一有源層、第一柵極絕緣層和第一源漏極層，所述第一柵極絕緣層位于所述第一有源層和所述第一源漏極層之間，所述第一源漏極層包括與所述第一有源層電連接的第一源極和第一漏極；所述第一薄膜晶體管還包括第一柵極，所述第一柵極位于所述第一柵極絕緣層上，所述第一柵極與所述第一源漏極層同層設置； 其中，所述第一柵極與所述第一源極和所述第一漏極之間具有間隙，所述第一柵極絕緣層上對應所述間隙的位置開設有第一開孔； 所述陣列基板包括平坦層，所述平坦層設置在所述第一源漏極層和所述第一柵極上，所述平坦層填充所述間隙和所述第一開孔。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司，其通訊地址為：518132 廣東省深圳市光明新區公明街道塘明大道9-2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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